阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111261577A(43)申请公布日2020.06.09(21)申请号202010079497.6(22)申请日2020.02.04(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人王东雷(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人李新干(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法(57)摘要本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括平坦层，平坦层在位于非显示区内设有环绕显示区的沟槽，沟槽包括下底面和两个侧斜面；下底面与侧斜面之间的夹角(Taper角)为30°-45°。在制作所述沟槽时，通过间隔制作多个子侧斜面，多个子侧斜面相互连接形成侧斜面。本发明制作的侧斜面为光滑平面，减少了在沟槽的底部两侧形成光阻的总量，进而降低夹角，避免了在平坦有机层沟槽的底部两侧形成金属残留以致出现静电释放产生炸伤现象，提高了显示面板的良率。CN111261577ACN111261577A权利要求书1/1页1.一种阵列基板，其特征在于，包括：平坦层，设有显示区和非显示区，所述平坦层在位于所述非显示区内设有环绕所述显示区的沟槽，所述沟槽包括下底面和位于所述下底面两侧的侧斜面；其中，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-45°。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-35°。3.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：制作一平坦层，所述平坦层设有显示区和非显示区；以及在位于所述非显示区内的所述平坦层上制作沟槽，所述沟槽环绕所述显示区设置，所述沟槽包括下底面和位于所述下底面两侧的侧斜面，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-45°；其中，在制作所述沟槽时，通过间隔制作多个子侧斜面，多个所述子侧斜面相互连接形成所述侧斜面。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面与所述下底面相连接的长度为1.3um-1.5um。5.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，任意相邻两个所述子侧斜面的间隔距离为1.0um-1.4um。6.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓呈三角形、矩形、梯形中的一种或多种。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓的高度为10um-15um。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形包括上底边、下底边以及两个腰，所述上底边或所述下底边与所述下底面相连接。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述上底边的长度为1.0um-1.2um，所述下底边的长度为1.3um-1.4um。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。2CN111261577A说明书1/5页阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。背景技术[0002]基于低温多晶硅的显示面板设计需求，如图1所示，为现有的一种显示面板的结构示意图，在显示面板外围均有平坦有机层91，因其膜层较厚，业内一般条件为2um-3um，在其沟槽92位置易有后续膜层的残留，例如氧化铟锡等。残留的氧化铟锡93缩短了与阵列基板94的金属的间隔距离，残留的氧化铟锡93容易与阵列基板94的金属发生静电释放产生炸伤。[0003]经分析，在制作氧化铟锡层时的图案化过程中，发现在光阻涂布时，在平坦有机层沟槽处的光阻层厚度较正常位置厚，一般正常位置厚度为1.5um，在沟槽位置达到2.8um，导致其在显影时无法将全部光阻洗掉，进而在图案化蚀刻光阻层时在沟槽位置处的氧化铟锡有光阻保护而无法完全去除。[0004]通过上述现象不难分析出氧化铟锡残留的真实原因，即有平坦有机层较厚，导致在其沟槽处光阻涂布时有明显的堆积，导致在沟槽处的光阻层匹配曝光及显影条件无法有效感应而完全去除。[0005]目前，沟槽的倾斜角(Taper角)约为45°-60°，若倾斜角降低可以减少光阻在沟槽的底部两侧堆积，达到根本性降低平坦有机层沟槽的底部两侧形成金属残留的目的。发明内容[0006]本发明的目的在于，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，解决了在曝光工艺中，光阻在挡墙底部堆积较厚难以有效被曝光显影去除导致光阻残留，从而避免了在平坦有机层沟槽的底部两侧形成金属残留以