一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112750764A(43)申请公布日2021.05.04(21)申请号202011615806.3B82Y40/00(2011.01)(22)申请日2020.12.30(71)申请人滁州惠科光电科技有限公司地址239200安徽省滁州市经济技术开发区苏滁大道101号申请人惠科股份有限公司(72)发明人李宁宁詹仁宏陶华珍李萍郑浩旋(74)专利代理机构深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240代理人邢涛(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板(57)摘要本申请公开了一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第二金属层，设置在所述第一金属层的上方；其中，所述第一金属层和所述第二金属层属于不同层且相互绝缘，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层设置在所述铜金属层的下方，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800埃米至3600埃米。通过调整铜钼金属层中的钼金属层的厚度和铜金属层的厚度，从而防止钼残留或者倒角的情况发生。CN112750764ACN112750764A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上沉积第一金属材料层，蚀刻第一金属材料层形成第一金属层；在所述第一金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层上方沉积有源材料层，蚀刻有源材料层形成有源层；在所述有源层上沉积第二金属材料层，蚀刻第二金属材料层形成第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；以及在所述钝化层上方沉积透明电极材料层，蚀刻透明电极材料层形成透明电极层；其中，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800埃米至3600埃米。2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述铜金属层的厚度为3600埃米，所述钼金属层的厚度为200埃米；或，所述铜金属层的厚度为3000埃米，所述钼金属层的厚度为200埃米。3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述在衬底上沉积第一金属材料层，蚀刻第一金属材料层形成第一金属层的步骤包括：在衬底上沉积钼金属材料层；使用半色调掩膜蚀刻钼金属材料层形成具有不同厚度的钼金属层；在钼金属层上沉积铜金属材料层；以及蚀刻铜金属材料层形成铜金属层，以得到具有两层结构，且具有不同厚度的铜钼金属层；其中，所述阵列基板包括栅线、数据线和主动开关，所述主动开关包括依次形成在衬底上的栅极层、绝缘层、有源层、源漏极金属层和钝化层；所述栅线和栅极层均形成在所述第一金属层；所述栅线中的铜金属层的厚度为3600埃米，所述栅线中的钼金属层的厚度为300埃米，所述栅极层中的所述铜金属层的厚度为3600埃米，所述栅极层中的钼金属层的厚度为200埃米。4.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，在有源层上沉积第二金属材料层，蚀刻第二金属材料层形成第二金属层的步骤包括：在有源层上沉积钼金属材料层；使用半色调掩膜蚀刻钼金属材料层形成具有不同厚度的钼金属层；在钼金属层上沉积铜金属材料层；以及蚀刻铜金属材料层形成铜金属层，以得到具有两层结构，且具有不同厚度的第二金属层；其中，所述阵列基板包括栅线、数据线和主动开关，所述主动开关包括依次形成在衬底上栅极层、绝缘层、有源层、源漏极金属层和钝化层；所述数据线和源漏极金属层形成在所述第二金属层；所述数据线中的铜金属层的厚度为3600埃米，所述数据线中的钼金属层的厚度为300埃米，所述源漏极金属层中的铜金属层的厚度为3600埃米，所述源漏极金属层中的钼金属层的厚度为200埃米。2CN112750764A权利要求书2/2页5.如权利要求1‑4任意一项所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述在衬底上沉积第一金属材料层，蚀刻第一金属材料层形成第一金属层的步骤中，采用的蚀刻液为预溶铜溶液；所述预溶铜溶液的制作方法包括如下过程：在玻璃大板上镀铜；将仅镀铜的玻璃大板投进不含有铜离子的蚀刻液中；以及控制仅镀铜的玻璃大板在蚀刻液中的蚀刻时间，得到含有预定浓度铜离子的预溶铜溶液；其中，所述预溶铜溶液中的铜离子的浓度为0‑500ppm。6.一种阵列基板，采用如权利要求1‑5任意一项所述的制程方法制得，其特征在于，包括：衬底：第一金属层，设置在所述衬底上；以及第二金属层，设置