阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547927A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211211732.6(22)申请日2022.09.30(71)申请人惠科股份有限公司地址518108广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层,6栋七层(72)发明人饶夙缔李荣荣(74)专利代理机构北京华夏泰和知识产权代理有限公司11662专利代理师刘敏(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板(57)摘要本申请涉及显示面板技术领域，本申请公开一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。包括在基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层及第一半导体层；其特征在于，制备方法还包括步骤：在第一半导体层上形成光刻胶层，通过掩模板对光刻胶层进行曝光、显影，形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一胶层模块及第二胶层模块，依次形成第二半导体层及第二金属层，完全清除第一胶层模块，并保留部分厚度的第二胶层模块作为缓冲模块，以图案化第二半导体层及第二金属层，刻蚀图案化第一半导体层，形成第一沟道及第二沟道。与现有技术相比，减少刻蚀次数、简化处理工艺，提高刻蚀后面板特性的均匀性，有效提高面板的品质。CN115547927ACN115547927A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，包括在基板(10)上依次形成栅极金属层(20)、栅极绝缘层(30)及第一半导体层(40)；其特征在于，所述制备方法还包括步骤：在所述第一半导体层(40)上形成光刻胶层(50)；通过掩模板(100)对所述光刻胶层(50)进行曝光、显影，在所述第一半导体层(40)上形成第一胶层模块(51)及第二胶层模块(52)，所述第一胶层模块(51)与第二胶层模块(52)之间具有与所述第一半导体层(40)接触的开孔(53)，所述第二胶层模块(52)的厚度大于所述第一胶层模块(51)的厚度；依次形成第二半导体层(60)及第二金属层(70)；完全清除第一胶层模块(51)，暴露所述第一胶层模块(51)对应的所述第一半导体层(40)，并保留部分厚度的所述第二胶层模块(52)作为缓冲模块(54)，以图案化所述第二半导体层(60)及所述第二金属层(70)；刻蚀图案化所述第一半导体层(40)，形成与所述栅极绝缘层(30)接触的第一沟道(80)，同时清除所述缓冲模块(54)，在相邻所述开孔(53)对应的所述第二金属层(70)、所述第二半导体层(60)之间形成与所述第一半导体层(40)接触的第二沟道(90)。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，通过掩模板(100)对所述光刻胶层(50)进行曝光、显影后，还包括步骤：等离子体轰击，以使所述第一半导体层(40)向外溅射无机粒子，在所述第一胶层模块(51)及所述第二胶层模块(52)的表面并形成不连续的掩体层(1)；刻蚀所述掩体层(1)以对所述掩体层(1)进行制绒处理，形成与所述第一胶层模块(51)及所述第二胶层模块(52)接触的剥离腔(2)；依次形成第二半导体层(60)及第二金属层(70)；使采用剥离液浸入所述剥离腔(2)内与所述第一胶层模块(51)及所述第二胶层模块(52)接触，以完全清除所述第一胶层模块(51)，并保留部分厚度的所述第二胶层模块(52)作为所述缓冲模块(54)，以图案化所述第二半导体层(60)及所述第二金属层(70)。3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，刻蚀所述掩体层(1)以对所述掩体层(1)进行制绒，其中，对所述掩体层(1)进行刻蚀后，在所述第一胶层模块(51)表面及所述第二胶层模块(52)表面形成多个支撑柱(3)，相邻所述支撑柱(3)之间具有所述剥离腔(2)。4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述掩体层(1)的厚度为所述支撑柱(3)的高度为所述支撑柱(3)的最大外径的范围为5.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述剥离液为包括胺类碱性有机物和极性有机溶剂的混合溶液，采用所述剥离液进行剥离的处理时间为1S‑1200S。6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，通过掩模板(100)对所述光刻胶层(50)进行曝光、显影，其中，所述掩模板(100)为半透过光罩，在垂直于所述基板(10)的投影面内，所述第一胶层模块(51)与所述掩模板(100)的次透光区一一对应，所述第二胶层模块(52)与所述掩模板(100)的全遮挡区一一对应，所述开孔(53)与所述掩模板(100)的全透光区一一对应。2CN1155479