缺陷检测方法及缺陷检测系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111189845A(43)申请公布日2020.05.22(21)申请号201811349970.7(22)申请日2018.11.14(71)申请人芯恩（青岛）集成电路有限公司地址266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401(72)发明人王通许继仁林庆儒(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.G01N21/95(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称缺陷检测方法及缺陷检测系统(57)摘要本发明提供一种缺陷检测方法及缺陷检测系统，缺陷检测方法包括步骤：1)使用短波光及长波光分别对待检测晶圆各区域进行交替脉冲式扫描；2)接收待检测晶圆对短波光进行反射的短波反射光信号及对长波光进行反射的长波反射光信号；3)去除位于预设强度范围之外的短波反射光信号及长波反射光信号，并去除待检测晶圆同一区域反射的、且位于预设强度范围之内的短波反射光信号及长波反射光信号二者中的强度较小者；4)依据保留的短波反射光信号及保留的长波反射光信号形成缺陷图形以进行缺陷检测。本发明可以确保各个区域的亮度最优化，可以提高缺陷的捕获能力，避免缺陷的漏检。CN111189845ACN111189845A权利要求书1/2页1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法包括步骤：1)使用短波光及长波光分别对待检测晶圆各区域进行交替脉冲式扫描；2)接收所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的短波反射光信号及对所述长波光进行反射的长波反射光信号；3)去除位于预设强度范围之外的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号，并去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者；4)依据保留的所述短波反射光信号及保留的所述长波反射光信号形成缺陷图形以进行缺陷检测。2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，步骤1)中，所述短波光的波长为255nm～380nm，所述长波光的波长为380nm～550nm。3.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤3)中所述的预设强度的范围为0cd-255cd。4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤3)中，去除所述短波反射光信号中强度大于255的短波反射光信号，去除所述长波反射光信号中强度小于等于0的长波反射光信号，并去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且强度位于0cd～255cd范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者。5.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤4)包括如下步骤：4-1)依据保留的所述短波反射光信号形成第一缺陷图形；4-2)依据保留的所述长波反射光信号形成第二缺陷图形；4-3)将所述第一缺陷图形与所述第二缺陷图形整合得到所述缺陷图形以进行缺陷检测。6.一种缺陷检测系统，其特征在于，所述缺陷检测系统包括：光源装置，位于待检测晶圆的上方，所述光源装置包括短波光源及长波光源，用于交替发射短波光及长波光，以对所述待检测晶圆各区域进行交替脉冲式扫描；探测装置，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的短波反射光信号及所述待检测晶圆对所述长波光进行反射的长波反射光信号；比对处理装置，与所述探测装置相连接，用于存储预设强度范围，将所述探测装置接收到所述短波反射光信号的强度及所述长波反射光信号的强度与所述预设强度进行比对，以去除位于预设强度范围之外的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号；并将所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号的强度及所述长波反射光信号的强度进行比对，以去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者；成像检测装置，与所述比对处理装置相连接，用于依据保留的所述短波反射光信号及保留的所述长波反射光信号形成缺陷图形以进行缺陷检测。7.根据权利要求6所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述短波光源发射的短波光的波长为255nm～380nm，所述长波光源发射的长波光的波长为380nm～550nm。8.根据权利要求6所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述探测装置包括：第一探测器，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述短波2CN111189845A权利要求书2/2页光进行反射的短波反射光信号；第二探测器，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述长波光进行反射的长波反射光信号。9.根据权利要求8所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述探测装置还包括：第一反射镜，位于所述待检测晶圆的