一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111344873A(43)申请公布日2020.06.26(21)申请号201980003325.6(22)申请日2019.12.16(85)PCT国际申请进入国家阶段日2019.12.31(86)PCT国际申请的申请数据PCT/CN2019/1254772019.12.16(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)(72)发明人杨顺贵黄嘉宏林雅雯黄国栋(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268代理人王永文(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种microLED芯片制程方法及microLED外延片(57)摘要本申请涉及一种microLED芯片制程方法及microLED外延片，所述方法包括：在生长基底上每颗microLED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶；按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗microLED磊晶。通过本申请中对芯片的生长区域之间设置磊晶隔绝墙并按照磊晶隔绝墙进行切割，避免直接对生长完成的外延片切割导致原子断键的产生，提高了电子电洞复合效率。CN111344873ACN111344873A权利要求书1/1页1.一种microLED芯片制程方法，其特征在于，所述方法包括：在生长基底上每颗microLED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶；按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗microLED磊晶。2.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶，包括：将所述生长基底放入MOCVD机台生长非掺杂半导体层和第一半导体层；将靠近所述磊晶隔绝墙预设范围内的所述第一半导体层变薄；在所述生长基底上继续依次生长所述发光层、所述第二半导体层、所述第一欧姆金属层和所述第二欧姆金属层。3.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶，包括：将所述生长基底放入MOCVD机台生长第一半导体层；将靠近所述磊晶隔绝墙预设范围内的所述第一半导体层变薄；在所述生长基底上继续依次生长所述发光层、所述第二半导体层、所述第一欧姆金属层和所述第二欧姆金属层。4.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶之后，按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗microLED磊晶之前，包括：将所述生长基底的背面减薄和抛光。5.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述磊晶隔绝墙的高度大于或等于所述磊晶层总高度。6.根据权利要求1至5任意一项所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述生长基底为蓝宝石。7.一种microLED外延片，其特征在于，所述microLED外延片通过权利要求1至6任一项所述的方法生长，microLED外延片包括：生长基底；磊晶隔绝墙，所述磊晶隔绝墙排布于所述生长基底，形成至少两个microLED芯片生长区域；microLED芯片结构，所述microLED芯片结构包括microLED磊晶结构，其中，microLED磊晶结构依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层。8.根据权利要求7所述的microLED外延片，其特征在于，所述microLED芯片结构还包括：至少一层金属层。9.根据权利要求7所述的microLED外延片，其特征在于，所述microLED芯片结构还包括：非掺杂半导体层，所述非掺杂半导体层生长于所述生长基底与所述第一半导体层之间。2CN111344873A说明书1/5页一种microLED芯片制程方法及microLED外延片技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种microLED芯片制程方法及microLED外延片。背景技术[0002]目前制作microLED需要使用MOCVD设备得到磊晶完成的外延片，再用光阻剂确定所需要的microLED芯片尺寸后，在外延片每颗芯片的位置上做正负电