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本发明实施例公开了一种MicroLED芯片及其制备方法。其中制备方法包括:提供衬底;在衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层;利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术,去除n电极区域的p型氮化镓层和量子阱有源层,露出n电极区域的n型氮化镓层;利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的n型氮化镓层;分别在p型氮化镓层和n型氮化镓层远离衬底的一侧形成p电极和n电极。本发明实施例的技术方案,可以有效降低ICP刻蚀后n型氮化镓层形貌的粗糙度,提高n电极蒸镀金属与n面的接触性,降低器件的工作电压,同时可去除ICP刻蚀后的损伤层,减轻ICP刻蚀对器件性能带来的不利影响。