内容提供者
一种Micro LED芯片及其制备方法.pdf
2023-06-06
10金币
1.3MB
13页
韶敏****ab
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共13页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
一种Micro LED芯片及其制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种MicroLED芯片及其制备方法。其中制备方法包括:提供衬底;在衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层;利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术,去除n电极区域的p型氮化镓层和量子阱有源层,露出n电极区域的n型氮化镓层;利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的n型氮化镓层;分别在p型氮化镓层和n型氮化镓层远离衬底的一侧形成p电极和n电极。本发明实施例的技术方案,可以有效降低ICP刻蚀后n型氮化镓层形貌的粗糙度,提高n电极蒸镀金属与n面的接触性,降低器件的工作电压,同时可去除IC
2023-06-06
10
1.3MB
一种Micro-LED芯片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，属于LED显示技术领域。Micro‑LED芯片包括缓冲层和PN结层；在使用时，将PN结层层叠设置在缓冲层的上表面，并在PN结层上沿着PN结层的外边缘方向在距离外边缘预设距离处开设有环形沟槽结构；环形沟槽结构的开口向上，且环形沟槽将PN结层划分为LED阵列区域和外围区域。由此，通过在PN结层外围制备环形沟槽结构，从而有利于控制胶水的填充剂量，进而避免胶水残留；进而解决了相关技术中由于封装胶填充过量从而导致Micro‑LED芯片的IV特性不满足产品要求的技术
2023-06-11
10
652KB
Micro-LED芯片结构及Micro-LED芯片结构的制备方法.pdf
本发明公开了一种Micro‑LED芯片结构以及Micro‑LED芯片结构的制备方法，Micro‑LED芯片结构包括外延结构、第一电极、第二电极以及调控电极。外延结构包括第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层；第一电极电性连接第一导电类型半导体层；第二电极电性连接第二导电类型半导体层；调控电极形成于外延结构的侧壁且至少覆盖量子阱层的侧面；以及绝缘层，形成于外延结构和调控电极之间，以及形成于调控电极与第一电极和/或所述第二电极之间。本发明的Micro‑LED芯片结构，其能够减小Micro‑LE
2023-06-07
10
923KB
一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片.pdf
本申请涉及一种microLED芯片制程方法及microLED外延片，所述方法包括：在生长基底上每颗microLED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶；按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗microLED磊晶。通过本申请中对芯片的生长区域之间设置磊晶隔绝墙并按照磊晶隔绝墙进行切割，避免直接对生长完成的外延片切割导致原子断
2023-11-13
10
407KB
一种micro-LED及其制备方法.pdf
本发明公开了一种micro?LED及其制备方法,应用于红光micro?LED,涉及二极管技术领域领域,该micro?LED包括衬底;在所述衬底上依次设有红光外延准备层、N型In<base:Sub>b</base:Sub>Ga<base:Sub>1?b</base:Sub>N/GaN层、发光层、电子阻挡层、P型In<base:Sub>f</base:Sub>Ga<base:Sub>1?f</base:Sub>N层及接触层;在所述发光层与电子阻挡层之间设有一波导层,所述波导层为In<base:Sub>e</b
2023-05-25
10
432KB