Micro-LED芯片结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114843388A(43)申请公布日2022.08.02(21)申请号202210738007.8(22)申请日2022.06.28(71)申请人苏州芯聚半导体有限公司地址215000江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02幢512室(72)发明人刘佳擎韦冬金峰黄朝葵张广庚(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235专利代理师沈晓敏(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/36(2010.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称Micro-LED芯片结构(57)摘要本发明揭示一种Micro‑LED芯片结构，包括：透光基板；外延结构，形成于透光基板上方，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；遮光层，其至少覆盖透光基板未被外延结构遮蔽的上表面，遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，分别电性连接于n型半导体层和p型半导体层，遮光层的光反射率低于外延结构表面发光区域的光反射率。芯片结构中设置具有低反射率的遮光层，在Micro‑LED芯片不点亮的状态下呈现较黑的外观，对可见光波段的光吸收率高，大幅提升其对比度；遮光层又可作为金属电极分别与n型半导体层和p型半导体层电性连接，保护芯片的外延结构，降低芯片断线失效的发生，提高可靠度。CN114843388ACN114843388A权利要求书1/1页1.一种Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：透光基板，具有上表面及与上表面相背的下表面；外延结构，形成于所述透光基板上方，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述发光层形成于所述n型半导体层和p型半导体层之间；遮光层，其至少覆盖所述透光基板未被外延结构遮蔽的上表面，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层分别电性连接于所述n型半导体层和p型半导体层，所述遮光层的光反射率低于所述外延结构表面发光区域的光反射率。2.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述遮光层为金属层。3.根据权利要求2所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述金属层为Cr/Ti单层金属层或复合金属层。4.根据权利要求2所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述金属层包括表面球化的Al/Ni底层金属层和形成于其上的导电金属层。5.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述第一遮光层与所述第二遮光层设置有电极连接区，分别通过所述电极连接区与所述n型半导体层和p型半导体层电性连接，除所述电极连接区外，所述遮光层与外延结构之间设置有绝缘层。6.根据权利要求5所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述外延结构设置于所述透光基板的上表面，所述外延结构上表面部分区域向内凹陷形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述n型半导体层表面，所述第一遮光层包覆远离第一凹槽的外延结构一侧面并延伸至覆盖外延结构上表面部分区域，与p型半导体层电性连接，所述第二遮光层包覆靠近第一凹槽的外延结构一侧面，并延伸至第一凹槽内与n型半导体层电性连接。7.根据权利要求5所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述遮光层设置于所述外延结构与透光基板之间，所述外延结构下表面部分区域向内凹陷形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述p型半导体层表面，所述第一遮光层覆盖远离第二凹槽的透光基板上表面部分区域，与n型半导体层电性连接，所述第二遮光层覆盖靠近第二凹槽的透光基板上表面部分区域，并延伸至第二凹槽内与p型半导体层电性连接。8.根据权利要求6或7所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述外延结构还包括反射层，所述反射层设置于所述p型半导体层上表面或n型半导体层下表面。9.根据权利要求8所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述反射层设置于p型半导体层上表面，所述外延结构上表面远离第一凹槽部分区域处向内凹陷形成第三凹槽，所述第三凹槽暴露出p型半导体层表面，所述第一遮光层延伸至第三凹槽内与p型半导体层电性连接。10.根据权利要求8所述的Micro‑LED芯片结构，其特征在于，所述反射层设置于所述n型半导体层下表面，所述外延结构下表面远离第二凹槽部分区域处向内凹陷形成第四凹槽，所述第四凹槽暴露出n型半导体层表面，所述第一遮光层延伸至第四凹槽内与n型半导体层电性连接。2CN114843388A说明书1/7页Micro‑LED芯片结构技术领域[0001]本发明涉及半导体发光结构领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片结构。背景技术[0002]随着技术的发展，Micro‑LED（MicroLightEmittingDiode，微型发光二极管