一种MICRO LED芯片转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113948432A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202111095379.5(22)申请日2021.09.17(71)申请人佛山市国星光电股份有限公司地址528051广东省佛山市禅城区华宝南路18号(72)发明人谭孟苹禤劼赵龙黎楚沂李皓(74)专利代理机构广东广盈专利商标事务所(普通合伙)44339代理人李俊(51)Int.Cl.H01L21/677(2006.01)H01L21/683(2006.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种MICROLED芯片转移方法(57)摘要本发明提供了一种MICROLED芯片转移方法，包括：于第一玻璃基板上旋涂第一热熔胶材料，第一热熔胶材料固化形成第一热熔胶层；将晶圆片热压至第一热熔胶层中；剥离晶圆片上的衬底，使衬底与MICROLED芯片分离；于第二玻璃基板上旋涂第二热熔胶材料并固化形成第二热熔胶层；将第二玻璃基板热压在第一玻璃基板上，使第二热熔胶层与第一热熔胶层贴合；将第一玻璃基板从第一热熔胶层上剥离，并用第一清洗液去除第一热熔胶层；通过第二玻璃基板带动MICROLED芯片转移至目标对象上；将MICROLED芯片键合至目标对象上；将第二玻璃基板从第二热熔胶层上剥离，并用第二清洗液去除第二热熔胶层。该MICROLED芯片转移方法利用热熔胶随温度变化的多态特性，更好的固定和释放芯片。CN113948432ACN113948432A权利要求书1/2页1.一种MICROLED芯片转移方法，其特征在于，包括：于第一玻璃基板上旋涂第一热熔胶材料，所述第一热熔胶材料固化形成第一热熔胶层；将晶圆片热压至所述第一热熔胶层中，所述晶圆片上的MICROLED芯片整体陷入至所述第一热熔胶层中；在所述第一热熔胶层固化后，所述MICROLED芯片嵌入固定在所述第一热熔胶层中；剥离所述晶圆片上的衬底，使所述衬底与所述MICROLED芯片分离，所述MICROLED芯片的第一表面外露于所述第一热熔胶层；于第二玻璃基板上旋涂第二热熔胶材料，所述第二热熔胶材料固化形成第二热熔胶层；将所述第二玻璃基板热压在所述第一玻璃基板上，使所述第二热熔胶层与所述第一热熔胶层贴合，所述MICROLED芯片的第一表面贴合在所述第二热熔胶层上；将所述第一玻璃基板从所述第一热熔胶层上剥离，并用第一清洗液去除所述第一热熔胶层；通过所述第二玻璃基板带动所述MICROLED芯片转移至目标对象上；将所述MICROLED芯片键合至所述目标对象上；将所述第二玻璃基板从所述第二热熔胶层上剥离，并用第二清洗液去除所述第二热熔胶层，所述MICROLED芯片从所述衬底转移至所述目标对象上。2.如权利要求1所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，所述第一热熔胶材料为极性材料，所述第一清洗液为极性材料清洗液；所述第二热熔胶材料为非极性材料，所述第二清洗液为非极性材料清洗液；或所述第一热熔胶材料为非极性材料，所述第一清洗液为非极性材料清洗液；所述第二热熔胶材料为极性材料，所述第二清洗液为极性材料清洗液。3.如权利要求1所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，所述第一热熔胶材料的固化温度高于所述第二热熔胶材料的固化温度。4.如权利要求1所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，在所述于第二玻璃基板上旋涂第二热熔胶材料前，在所述第二玻璃基板上旋涂第二过渡材料，所述第二过渡材料形成第二过渡层，所述第二热熔胶材料旋涂在所述第二过渡层上，所述第二过渡材料为光敏感特性材料；将所述第二玻璃基板从所述第二热熔胶层上剥离包括：通过与所述第二过渡材料配合的第二光源照射所述第二过渡层以去除所述第二过渡材料，所述第二玻璃基板与所述第二热熔胶层分离。5.如权利要求4所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，所述第二过渡材料为PI体系材料或UV体系材料。6.如权利要求4所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，在所述第二热熔胶材料旋涂在所述第二过渡层上前，基于光刻工艺在所述第二过渡层表面刻蚀出具有预设深度的第二图案。7.如权利要求1所述的MICROLED芯片转移方法，其特征在于，在所述于第一玻璃基板上旋涂第一热熔胶材料前，在所述第一玻璃基板上旋涂第一过渡材料，所述第一过渡材料2CN113948432A权利要求书2/2页形成第一过渡层，所述第一热熔胶材料旋涂在所述第一过渡层上，所述第一过渡材料为光敏感特性材料；将所述第一玻璃基板从所述第一热熔胶层上剥离包括：通过与所述第一过渡材料配合的第一光源照射所述第一过渡层以去除所述第二过渡材料，所述第一玻璃基板与所述第一热熔胶层分离。8.如权利要求7所述的MICROLED芯片