单面蚀刻制造超薄玻璃的方法及超薄玻璃.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111453997A(43)申请公布日2020.07.28(21)申请号202010290299.4(22)申请日2020.04.14(71)申请人拓米（成都）应用技术研究院有限公司地址610000四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）创客公园二期7号楼(72)发明人朴钟先(74)专利代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214代理人杜康黎(51)Int.Cl.C03C15/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称单面蚀刻制造超薄玻璃的方法及超薄玻璃(57)摘要本发明提供一种单面蚀刻制造超薄玻璃的方法，属于玻璃蚀刻技术领域。包括：1)在玻璃基板的一面，形成可实现玻璃图案的耐酸性保护层，并在耐酸性保护层上粘贴耐酸性薄膜Ⅰ，单面蚀刻，使玻璃基板减薄；2)将耐酸性薄膜Ⅰ从玻璃基板上剥离，并在另一面粘贴补偿性厚度的耐酸性薄膜Ⅱ；3)将玻璃基板进行单面蚀刻，只保留已形成图案的部分；4)将耐酸性保护层和耐酸性薄膜Ⅱ从玻璃基板上剥离，即可得到超薄玻璃。本发明可以降低光刻胶的成本；通过蚀刻液对玻璃基板进行减薄，并蚀刻成截面，实现对图案的形状进行高精度切割，无需修复加工；粘贴补偿性酸性薄膜Ⅱ，可以克服蚀刻后玻璃厚度过薄，难以固定的问题，提高超薄玻璃的可移动性。CN111453997ACN111453997A权利要求书1/1页1.一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在玻璃基板的一面，形成可实现玻璃图案的耐酸性保护层，并在耐酸性保护层上粘贴耐酸性薄膜Ⅰ，对玻璃基板进行单面蚀刻，使玻璃基板减薄；2)将耐酸性薄膜Ⅰ从玻璃基板上剥离，并在玻璃基板耐酸性保护层的另一面粘贴补偿性厚度的耐酸性薄膜Ⅱ；3)将带有耐酸性保护层和耐酸性薄膜Ⅱ的玻璃基板，使用蚀刻液进行单面蚀刻，只保留已形成图案的部分；4)将耐酸性保护层和耐酸性薄膜Ⅱ从玻璃基板上剥离，即可得到超薄玻璃。2.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述玻璃基板的厚度为0.1～0.5mm，所述玻璃基板单面蚀刻减薄后的厚度为0.03～0.1mm。3.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述形成可实现玻璃图案的耐酸性保护层的具体实现方式为：在需要蚀刻的玻璃基板的一面形成耐酸性保护层，然后使用掩模并曝光的方式在耐酸性保护层刻上图案。4.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述耐酸性保护层使用PR、DFR、INK形成，其中PR用丝网印刷方式涂布到玻璃基板的全面，DFR通过贴膜工艺附着到玻璃基板的全面，INK用丝网印刷方式涂布在非蚀刻部分。5.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述耐酸性薄膜Ⅰ和耐酸性薄膜Ⅱ为PVC、PP、PET中的一种或几种，厚度为0.1mm～1mm。6.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述玻璃基板从耐酸性保护层上剥离的具体操作为：蚀刻完成后，将整个玻璃基板放入剥离液中使酸性保护层从玻璃基板上分离，然后再用DI清洗残余的蚀刻液和耐酸性保护层。7.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述耐酸性薄膜Ⅰ或耐酸性薄膜Ⅱ从玻璃基板上剥离的具体操作为：将玻璃基板放置在发生250～600nm波长光源的照射器中，将耐酸性薄膜Ⅰ或耐酸性薄膜Ⅱ从玻璃基板上分离。8.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，所述蚀刻通过顶喷，测喷的工艺进行，蚀刻过程中玻璃基板旋转0°，90°，180°，270°，进而减少因蚀刻溶液的流动而产生的蚀刻偏差。9.如权利要求1所述一种单面蚀刻制备超薄玻璃的方法，其特征在于，蚀刻过程中玻璃基板以90°为预定角度间隔将预蚀刻玻璃从初始位置开始依次旋转0度、90度、180度、270度进行间隔式周期旋转并且在每个角度方向以单面蚀刻的总蚀刻时间的1/4n作为预定时间固定进行蚀刻，其中，n为大于或等于1的正整数。10.一种超薄玻璃，其特征在于，所述超薄玻璃采用上述权利要求1至9任一项所述的方法制备得到。11.如权利要求10所述一种超薄玻璃，其特征在于，所述超薄玻璃为可折叠手机或可卷曲手机中可折叠或可卷曲的盖板玻璃、可弯曲的OLED照明中的盖板玻璃、提升指纹识别性能的盖板玻璃以及OLED、TFT-LCD、micro-LED的屏幕面板多用途折叠或弯曲的超薄型玻璃基板中的一种或多种。2CN111453997A说明书1/6页单面蚀刻制造超薄玻璃的方法及超薄玻璃技术领域[0001]本发明属于玻璃蚀刻技术领域，具体为一种单面蚀刻制造超薄玻璃的方法及超薄玻璃。背景技术[0002]折叠手机目前使用CPI材料作为盖板，其折叠区