一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111477537A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号202010266188.X(22)申请日2020.04.07(71)申请人北京烁科精微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区泰河三街1号(72)发明人江伟尹影庞浩徐俊成(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250代理人刘林涛(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备(57)摘要本发明提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备，属于半导体制造技术领域；所述晶圆清洗方法，包括如下步骤：S1：将晶圆放置在等离子清洗装置的真空腔体中，向真空腔体中通入惰性气体，使惰性气体在高压交变电场作用下生成等离子体，并释放出紫外光，等离子体适于对晶圆表面的残留物进行清洗；S2：紫外光产生后，向等离子清洗装置的真空腔体中通入氧化性气体。本发明的利用等离子体的物理轰击清洗与强氧化气体的氧化清洗结合，不仅清洗效果好，还无废液产生、节能环保。CN111477537ACN111477537A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将晶圆放置在等离子清洗装置的真空腔体中，向所述真空腔体中通入惰性气体，使所述惰性气体在高压交变电场作用下生成等离子体，并释放出紫外光，所述等离子体适于对所述晶圆表面的残留物进行清洗；S2：所述紫外光产生后，向所述等离子清洗装置的真空腔体中通入氧化性气体。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述氧化性气体为氧气。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述高压交变电场中电子束流的电子能量大于6.2eV。4.根据权利要求1-3任一所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。5.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括等离子清洗装置，所述等离子清洗装置包括：密封腔体，适于抽真后为真空腔体；电极板，具有两个，分设于所述密封腔体的上端和下端，所述电极板与电源电连接；抽真空设备，连接在所述密封腔体上，适于对所述密封腔体进行抽真空；至少一根气管，一端通入在所述密封腔体上，另一端适于连接气源。6.根据权利要求5所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述气管为两根，包括惰性气管和氧气管，所述惰性气管和所述氧气管上分别设置有控制阀。2CN111477537A说明书1/4页一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备。背景技术[0002]集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体、绝缘层以一定的工艺顺序沉积在特定的晶圆上。在制造工艺过程中，晶圆在膜沉积后，需对晶圆表面进行化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,以下简称CMP)工艺，以便进行后续的半导体工艺过程。[0003]在抛光过程中，需要加入化学液进行辅助抛光，晶圆表面会残留化学液；在抛光完成后，需去除晶圆表面的残留物。晶圆清洗主要采用超声振荡，酸性溶液清洗残留物以及清水漂洗等方式，设备结构复杂、清洗流程繁琐，还增加了废液处理的环境保护压力。发明内容[0004]因此，本发明提供一种节能环保且高效清洗的晶圆清洗方法。[0005]为了解决上述技术问题，本发明提供的晶圆清洗方法，包括：[0006]S1：将晶圆放置在等离子清洗装置的真空腔体中，向所述真空腔体中通入惰性气体，使所述惰性气体在高压交变电场作用下生成等离子体，并释放出紫外光，所述等离子体适于对所述晶圆表面的残留物进行清洗；[0007]S2：所述紫外光产生后，向所述等离子清洗装置的真空腔体中通入氧化性气体。[0008]作为优选方案，所述氧化性气体为氧气。[0009]作为优选方案，所述高压交变电场中电子束流的电子能量大于6.2eV。[0010]作为优选方案，所述惰性气体为氩气。[0011]一种晶圆清洗设备，包括等离子清洗装置，[0012]所述等离子清洗装置包括：[0013]密封腔体，适于抽真后为真空腔体；[0014]电极板，具有两个，分设于所述密封腔体的上端和下端，所述电极板与电源电连接；[0015]抽真空设备，连接在所述密封腔体上，适于对所述密封腔体进行抽真空；[0016]至少一根气管，一端通入在所述密封腔体上，另一端适于连接气源。[0017]作为优选方案，所述气管为两根，包括惰性气管和氧气管，所述惰性气管和所述氧气管上分别设置有控制阀。[0018]本发明技术方案，具有如下优点：[0019]1.本发明提供的晶圆清洗方法，利用惰性气体不易与其他物质发生反应的特性，向真空腔体中通入惰性气体，所述惰性气体