一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111534790A(43)申请公布日2020.08.14(21)申请号202010274992.2(22)申请日2020.04.09(71)申请人常州高光半导体材料有限公司地址213311江苏省常州市溧阳市埭头镇渡头街8-2号13幢(72)发明人钱超吴建(74)专利代理机构南京天华专利代理有限责任公司32218代理人竞存徐冬涛(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)C23G5/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法(57)摘要本发明公开了一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法，涉及掩膜版清洗技术领域，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版，使金属掩膜版表面的残留材料脱落，完成清洗，本发明清洗装置采用氩气作为媒介，利用等离子发生装置产生的等离子体对金属掩膜版，进行清洗，可以有效避免有机溶剂和高温汽化等清洗方法带来的金属掩膜版损坏、浪费资源、人身健康损害和环境污染等问题，而且，真空等离子体清洗还可避免外部污染的引入，回收的OLED材料可以重复利用，极大地节约了源成本，清洗效果好，清洗效率高，符合绿色生产的理念，有利于大规模量产。CN111534790ACN111534790A权利要求书1/1页1.一种金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版(3)位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版(3)，使金属掩膜版(3)表面的残留材料脱落，完成清洗。2.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述等离子发生装置由正电极板(4)、负电极板(10)和电源(2)组成，所述电源(2)的正负极分别与正电极板(4)、负电极板(10)电性连接。3.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述等离子发生装置设置于清洗腔室内，所述清洗腔室由底座(1)、内腔体(9)和外壳(8)组成，所述清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口。4.如权利要求2所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述正电极板(4)设置在清洗腔室的内部下方，所述负电极板(10)设置在清洗腔室的内部上方。5.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述底座(1)、内腔体(9)由厚度≥1cm的304不锈钢板材一体焊接而成。6.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述氩气进口上对应设有快插式接口(11)，排污管道(7)的两端分别与排污口和收集装置(6)固定连通。7.如权利要求6所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述清洗腔室上还设有抽气管道(12)，真空泵(5)可以通过抽气管道(12)将清洗腔室抽到-75kpa以下，所述快插式接口(11)、排污管道(7)、抽气管道(12)均通过电磁阀控制开启和关闭。8.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述清洗腔室内固定设有若干个基板(13)，所述基板(13)用于放置金属掩膜版(3)，所述基板(13)的数量≥1个，且自上而下设置，所述基板(13)为镂空结构。9.如权利要求8所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述基板(13)自上而下顺次设置或交错设置。10.一种金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，将金属掩膜版(3)放置于权利要求1-8中任一项所述的清洗装置内，从氩气进口通入氩气，通过等离子发生装置产生的等离子体撞击金属掩膜版(3)，对金属掩膜版(3)进行清洗，清洗时间5-10min。2CN111534790A说明书1/4页一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法技术领域[0001]本发明涉及掩膜版清洗技术领域，具体涉及一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法。背景技术[0002]近年来，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，在中小尺寸显示领域更有取代液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)的趋势，现阶段中小尺寸的OLED面板大多依赖蒸镀制程，其中在蒸镀制程中用于图形定义的治具为金属掩模版，可分为精密金属掩膜板(FineMetalMask，FMM)和通用金属掩模版(CommonMetalMask，CMM)。FMM用于RGB像素定义，主要用于R、G、B发光层和掺杂材料蒸镀，CMM主要作为共通层图形定义装置。[0003]常规的FMM清洗方法一般有两种：一种方式是通过对FMM进行整体加热，热量将FMM上残留的有机材料蒸发掉；另一种方式是利用有机溶剂清洗，对不同的有机材料