掩膜图形清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110147030A(43)申请公布日2019.08.20(21)申请号201910458854.7(22)申请日2019.05.29(71)申请人德淮半导体有限公司地址223302江苏省淮安市淮阴区长江东路599号(72)发明人刘庆超徐丽芝沈雪颜廷彪黄志凯叶日铨(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人吴敏(51)Int.Cl.G03F1/82(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称掩膜图形清洗方法(57)摘要一种掩膜图形清洗方法，包括：提供初始掩膜图形；对所述初始掩膜图形进行显影处理，形成掩膜图形；提供纳米气泡与清洁水的混合液，对所述掩膜图形进行清洗。本发明有助于清除显影处理在所述掩膜图形上形成的反应残留物。CN110147030ACN110147030A权利要求书1/1页1.一种掩膜图形清洗方法，其特征在于，包括：提供初始掩膜图形；对所述初始掩膜图形进行显影处理，形成掩膜图形；提供纳米气泡与清洁水的混合液，对所述掩膜图形进行清洗。2.如权利要求1所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，所述纳米气泡的直径为10nm～100nm。3.如权利要求1所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，所述纳米气泡的含量为2e7个/mL～7e9个/mL。4.如权利要求1所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，对所述掩膜图形进行清洗过程中，所述混合液的流量为400mL/min～1000mL/min。5.如权利要求1所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，在进行所述显影处理后，在提供纳米气泡与清洁水的混合液前，还包括：提供清洁水，对所述掩膜图形进行预清洗。6.如权利要求5所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，在所述预清洗过程中，所述清洁水的流量为400mL/min～1000mL/min。7.如权利要求5所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，在提供清洁水后，进行预清洗前，还包括：对所述清洁水进行过滤处理。8.如权利要求1至7任一项所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，所述清洁水为去离子水或超纯水。9.如权利要求8所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，当所述清洁水为超纯水时，所述超纯水的电阻率大于18.2MΩ·cm。10.如权利要求1所述的掩膜图形清洗方法，其特征在于，在提供纳米气泡与清洁水的混合液后，对所述掩膜图形进行清洗前，还包括：对所述混合液进行过滤处理。2CN110147030A说明书1/4页掩膜图形清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜图形清洗方法。背景技术[0002]在半导体结构制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆制造中间的一个过程，即光掩膜板制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。[0003]光掩膜板制造流程包括数据转换、图形产生、光阻显影、铬层刻蚀、去除光阻、尺寸测量、初始清洗、缺陷检测、缺陷补复、再次清洗及加附蒙版等步骤。[0004]其中，图形产生过程是指通过电子束或激光进行图形曝光。光阻显影过程中，显影液可将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解掉，以形成掩膜图形。显影处理过程中，会有反应生成物产生，因此在显影结束后，需要对形成的掩膜图形进行清洗。[0005]但是，现有技术中掩膜图形的清洗方法仍有待提高。发明内容[0006]本发明解决的问题是提供一种掩膜图形清洗方法，能够将显影处理在所述掩膜图形上形成的反应残留物彻底清除。[0007]为解决上述问题，本发明提供一种掩膜图形清洗方法，包括：提供初始掩膜图形；对所述初始掩膜图形进行显影处理，形成掩膜图形；提供纳米气泡与清洁水的混合液，对所述掩膜图形进行清洗。[0008]可选的，所述纳米气泡的直径为10nm～100nm。[0009]可选的，所述纳米气泡的含量为2e7个/mL～7e9个/mL。[0010]可选的，对所述掩膜图形进行清洗过程中，所述混合液的流量为400mL/min～1000mL/min。[0011]可选的，在进行所述显影处理后，在提供纳米气泡与清洁水的混合液前，还包括：提供清洁水，对所述掩膜图形进行预清洗。[0012]可选的，在所述预清洗过程中，所述清洁水的流量为400mL/min～1000mL/min。[0013]可选的，在提供清洁水后，进行预清洗前，还包括：对所述清洁水进行过滤处理。[0014]可选的，所述清洁水为去离子水或超纯水。[0015]可选的，当所述清洁水为超纯水时，所述超纯水的电阻率大于18.2MΩ·cm。[0016]可选的，在提供纳米气泡与清洁水的混合液后，对所述掩膜图形进行清洗前，还包括：对所述混合液进行过滤处理。[0017]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：[0