掩膜版制程槽清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109433663A(43)申请公布日2019.03.08(21)申请号201811278788.7(22)申请日2018.10.30(71)申请人深圳市路维光电股份有限公司地址518057广东省深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办公楼D座102(72)发明人杜武兵林伟吕振群(74)专利代理机构深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)44320代理人黄莉(51)Int.Cl.B08B1/00(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B13/00(2006.01)G03F1/82(2012.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称掩膜版制程槽清洗方法(57)摘要本发明实施例提供一种掩膜版制程槽清洗方法，包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。本发明实施例通过采用先硝酸溶液清洗，后洗洁精溶液清洗的方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，操作简便，清洗成本低，极大程度的避免在用于生产掩膜版时掩膜版上形成黑缺陷，减少修正缺陷的压力，提高产品良率，延长制程槽的使用时间，节约成本。CN109433663ACN109433663A权利要求书1/1页1.一种掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。2.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述硝酸溶液的浓度为20~30%。3.如权利要求1或2所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，采用硝酸溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。4.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述洗洁精溶液是由洗洁精加水稀释配制而成，其配制体积比为：每5ml洗洁精加4-7L水。5.如权利要求1或4所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。6.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液的步骤进行至少两次。7.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，在清除制程槽内形成的第一清洗废液之后，先采用水清洗制程槽内壁并在清洗完成后清除所形成的第四清洗废液，然后再进行采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁的步骤。8.如权利要求1或4或7所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述水为去离子水。9.如权利要求1或6或7所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，采用水清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。10.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述制程槽为显影槽或定影槽。2CN109433663A说明书1/3页掩膜版制程槽清洗方法技术领域[0001]本发明实施例涉及掩膜版技术领域，特别是涉及一种掩膜版制程槽清洗方法。背景技术[0002]干版制作过程中产品上的缺陷主要是白缺陷和黑缺陷，其中，黑缺陷主要是在湿制程环节中产生的，干版的湿制程主要是显影和定影两个环节，分别在显影槽和定影槽中的化学药液反应完成，干版的显影和定影反应过程中会产生一些难溶解的物质或者易变质的物质，例如：对苯醌、银和溴化银，这些物质经过一段时间的累积后会严重污染制程槽，在被污染的槽体中生产干版时，干版表层的明胶极易受到污染形成黑缺陷，黑缺陷对于干版而言危害非常大，轻则造成产品不良，重则造成报废。[0003]为了减少或避免干版黑缺陷的产生，提高干版产品品质和良率，必须对制程槽进行清洁，洗掉显影和定影环节中的药水残留或反应物残留，目前行业内的清洗方法通常是洗洁精清洗法、高锰酸钾清洗法或者是硝酸铈铵清洗法。[0004]传统的洗洁精清洗法，主要是利用表面活性剂的作用，使反应物残留在槽体上的粘附性降低，易于从槽体中冲洗掉，但由于其未能与残留物发生化学反应，使得清洗效果并不理想；另外，高锰酸钾或硝酸铈铵清洗法，此两种均是利用其强氧化性，和残留物发生化学反应，达到溶解清除的目的，然而两种方法还是有些不足。[0005]高锰酸钾在常温的水溶液中很难氧化银单质，并且其氧化反应都会有难溶物产生：3C6H6O2+4KMnO43C6H4O2+4MnO