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半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法.pdf
2023-11-13
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书生****瑞梦
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本发明涉及半导体技术领域。半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，包括如下步骤：步骤(1)，干冰喷砂；步骤(2)，热水浸泡；步骤(3)，有机溶液浸泡，纯水冲洗去除残留药液；有机溶剂为选自乙醇、异丙醇、丙酮中的至少一种；步骤(4)，混合酸溶液刻蚀，纯水冲洗去除残留药液；步骤(5)，碱溶液刻蚀，纯水冲洗；步骤(6)，超声波清洗。通过该方法，快速去除硅电极表面的沉积膜层，去除沉积膜层后裸露的硅基材经受刻蚀时间达到一致，并且硅基材经受刻蚀时间大大缩短，避免了硅基材表面受到不均匀刻蚀而产生不平整或粗糙现象，实现硅电
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