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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110828336A(43)申请公布日2020.02.21(21)申请号201910739342.8H01J37/32(2006.01)(22)申请日2019.08.12(30)优先权数据10-2018-00941962018.08.13KR10-2019-00054902019.01.16KR(71)申请人SKC索密思株式会社地址韩国京畿道(72)发明人黄成植李在钒吴浚禄闵庚烈金京仁姜仲根(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258代理人金相允魏彦(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/3065(2006.01)权利要求书1页说明书18页附图8页(54)发明名称蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法(57)摘要本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法,包括:主体,由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成,主体顶面和主体底面隔开规定间隔,主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面,主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部;及安置部,由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成,安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置,安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接,安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。CN110828336ACN110828336A权利要求书1/1页1.一种蚀刻装置用环形部件,其特征在于,包括:主体,由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成,上述主体顶面和上述主体底面隔开规定间隔,上述主体外径面为将上述主体顶面的外侧轮廓线和上述主体底面的外侧轮廓线相连接的面,上述主体内径面与上述主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部;及安置部,由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成,上述安置部顶面的外径直接连接到上述主体内径面且上述安置部顶面位于低于上述主体顶面的位置,上述安置部底面与上述安置部顶面隔开规定间隔且与上述主体底面连接,上述安置部内径面为将上述安置部顶面的内侧轮廓线和上述安置部底面的内侧轮廓线相连接的面,其中,上述主体顶面与上述安置部顶面之间形成台阶,使得基板能够安置在上述安置部顶面上,上述环形部件在表面或整体上包含有经碳化硼含有颗粒进行颈缩而成的碳化硼,且在400℃下测量的导热率值在27W/(m*k)以下。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,以上述安置部顶面与上述安置部底面之间的距离为基准,上述主体顶面与上述主体底面之间的距离为所述基准的1.5至3倍。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,对上述主体顶面或上述安置部顶面测得的表面粗糙度为0.1μm至1.2μm。4.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述主体顶面或上述安置部顶面的空隙率为3%以下。5.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述主体顶面或上述安置部顶面在25℃下测得的导热率值与在800℃下测得的导热率值之间的比为1:0.2至3。6.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,在上述主体顶面或上述安置部顶面中,气孔的直径为10μm以上的部分所占面积为5%以下。7.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述环形部件在等离子蚀刻装置中与氟离子或氯离子接触时不形成颗粒。8.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述主体顶面相对于由单晶硅制成的主体顶面具有55%以下的蚀刻率。9.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述蚀刻装置用环形部件的待更换时长为单晶硅的待更换时长的两倍以上,上述待更换时长是以上述主体顶面为基准时主体的高度降低至初始主体高度的10%以上所需的时间。10.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件,其特征在于,上述环形部件为在等离子体处理装置的腔室内供基板安置的聚焦环。11.一种蚀刻装置,其特征在于,安装有权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件作为聚焦环。12.一种基板的蚀刻方法,其特征在于,包括:安装步骤,将权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件安装于等离子蚀刻装置作为聚焦环,且配置基板使得基板位于上述安置部顶面上;及蚀刻步骤,启动上述等离子蚀刻装置,按预定的图案蚀刻上述基板,以制造蚀刻基板。2CN110828336A说明书1/18页蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法技术领域[0001]本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法。背景技术[0002]在等离子体处理装置中,上电极和下电极配置在腔室中,如半导体晶片或玻璃基板等