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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108962797A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201810877701.1(22)申请日2018.08.03(71)申请人深圳市翰博士科技有限公司地址518000广东省深圳市宝安区西乡街道宝源路1065号F518创意园F3栋101.119.120(72)发明人吴楚鸿李纬陈巧银黄泽杭罗桂容徐乐山(74)专利代理机构北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)11531代理人马金华(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/3065(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图12页(54)发明名称一种高速率去硅的蚀刻装置及蚀刻方法(57)摘要本发明公开了一种高速率去硅的蚀刻装置,包括支撑架、支撑架下端所设的底板、支撑架上端所设的顶板、顶板下端所设的下压座、下压座下端所设的蚀刻板、底板上端所设的弹性支撑版与弹性支撑版上端所设的硅晶片托盘,本发明还公开了一种高速率去硅的蚀刻方法,包含以下步骤:步骤一:清理准备工作;步骤二:安装硅晶片;在此发明中,通过下压座上端的气泵对蚀刻槽内所形成的气相颗粒进行快速回吸,使得硅晶片的表面不会形成气相沉积膜,使蚀刻槽始终保持良好的接触反应效率,提高了蚀刻的速率;通过真空泵将硅晶片吸附在定位槽内,这种固定方式避免了硬接触,使得硅晶片在被牢固固定的同时不会受损,进而提高了蚀刻的成品率。CN108962797ACN108962797A权利要求书1/2页1.一种高速率去硅的蚀刻装置,包括支撑架(1)、支撑架(1)下端所设的底板(2)、支撑架(1)上端所设的顶板(3)、顶板(3)下端所设的下压座(6)、下压座(6)下端所设的蚀刻板(9)、底板(2)上端所设的弹性支撑版(7)与弹性支撑版(7)上端所设的硅晶片托盘(8),其特征在于:所述支撑架(1)的主体为C形板状结构,且在支撑架(1)的下端设有方形板状结构的底板(2),所述底板(2)的上端设有方形槽体结构的安装槽I(201),且在安装槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I(203),所述底板(2)上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I(202),所述安装槽I(201)内插配有方形板状结构的弹性支撑版(7),所述弹性支撑版(7)的上端设有方形槽体结构的安装槽III(701),且在安装槽III(701)内插配有方形板状结构的硅晶片托盘(8);所述支撑架(1)的上端设有方形板状结构的顶板(3),且在顶板(3)的中间设有方形凸台结构的安装板(301),所述安装板(301)的上端匹配安装有液压缸(5),所述安装板(301)的两侧对称设有两个圆柱形孔状结构的导向孔(302),所述液压缸(5)下端的活塞杆贯穿于顶板(3)的上下两端面并且与下压座(6)匹配连接在一起,所述下压座(6)的主体为方形板状结构的下压板(601),且在下压板(601)上端面中心位置的两侧对称设有两个与导向孔(302)相滑动套配的圆柱形结构的导向柱(602),所述下压板(601)上端面的四个对角处对称设有两个气泵(605)与两个气瓶(607),所述气瓶(607)的上端与气泵(605)通过气管相连通,且两个气瓶(607)的上端同样通过气管相连通,并且在此气管中间配设有过滤器(608),所述下压板(601)的四角位置处对称设有四个与导向销I(202)相套配的圆柱形孔状结构的导向孔II(603),且在下压板(601)的下端面上设有十字形槽体结构的安装槽II(609),所述安装槽II(609)槽底的中间向下压板(601)的上端面引有两个对称设置的圆柱形孔状结构的过孔I(604),所述安装槽II(609)槽底的对角位置处对称设有两个圆柱形结构的导向销II(610),所述安装槽II(609)内插配有方形板状结构的蚀刻板(9)。2.根据权利要求1所述的一种高速率去硅的蚀刻装置,其特征在于:所述底板(2)下端面的四角位置处对称设有四个圆柱形结构的支撑脚(4),且在底板(2)底面的中间位置处设有与通气孔I(203)相连通的真空泵(10)。3.根据权利要求1所述的一种高速率去硅的蚀刻装置,其特征在于:所述弹性支撑版(7)的下端设有与安装槽I(201)相插配的方形凸台结构的定位凸台(703),且在安装槽III(701)的槽底均布设有圆柱形孔状结构的通气孔II(704),所述通气孔II(704)与安装槽I(201)底部的通气孔I(203)相连通,所述弹性支撑版(7)四角位置处对称式设有四个与导向销I(202)相套配的圆柱形孔状结构的导向孔III(702)。4.根据权利要求1所述的一种高速率去硅的蚀刻装置,其特征在于:所述硅晶片托盘(8)的上端面上设有槽体结构的定位槽(