一种高速率去硅的蚀刻装置及蚀刻方法.pdf
大渊****公主
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一种高速率去硅的蚀刻装置及蚀刻方法.pdf
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一种激光蚀刻工艺的高铝硅玻璃蚀刻液制备装置及其方法.pdf
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蚀刻装置及蚀刻方法.pdf
一种蚀刻装置,包括蚀刻槽、传送滚轮组、上喷淋装置、下喷淋装置、第一升降机构以及第二升降机构。该传送滚轮组、上喷淋装置及下喷淋装置均设置于蚀刻槽内。该传送滚轮组包括多个上传送滚轮和多个下传送滚轮。该上喷淋装置位于多个上传送滚轮的上方。该下喷淋装置位于多个下传送滚轮的下方。该第一升降机构安装于蚀刻槽,并与上喷淋装置相连接,用于驱动上喷淋装置相对多个上传送滚轮在垂直于电路板传送的方向移动。该第二升降机构也安装于蚀刻槽,并与下喷淋装置相连接,用于驱动下喷淋装置相对于多个下传送滚轮在垂直于电路板传送的方向移动。本发
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本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法,所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器,所述蚀刻方法包含以下工序:将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序;将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序;利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序;以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。
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本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体,来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理,能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且,在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下,能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。