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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111940394A(43)申请公布日2020.11.17(21)申请号202010691293.8(22)申请日2020.07.17(71)申请人上海富乐德智能科技发展有限公司地址200444上海市宝山区山连路181号10幢(72)发明人廖宗洁贺贤汉杨炜(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人陆叶(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)B08B3/12(2006.01)B08B3/02(2006.01)B24C1/08(2006.01)B24B29/02(2006.01)F26B21/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域。半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,包括如下步骤:步骤一,微粉喷砂;步骤二,物理抛光研磨;步骤三,火焰抛光;步骤四,高温退火;步骤五,化学清洗;首先、使用氨水双氧水溶液,溶液温度20‑40℃,浸泡10min;然后、使用硝氟酸溶液浸泡5‑20min;最后、使用硝氟酸溶液浸泡5‑20min;步骤六,超声波清洗;步骤七,冲洗、干燥。本发明降低了成本和达到避免化学去膜存在的腐蚀问题目的。CN111940394ACN111940394A权利要求书1/1页1.半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,微粉喷砂,去除表面的残留物或沉积物;步骤二,物理抛光研磨,使得石英部件表面粗糙度低于1.0um;步骤三,火焰抛光,使得石英部件表面粗糙度低于0.5um;步骤四,高温退火;步骤五,化学清洗;首先、使用氨水双氧水溶液,溶液温度20-40℃,浸泡10min;然后、使用硝氟酸溶液浸泡5-20min;最后、使用硝氟酸溶液浸泡5-20min;步骤六,超声波清洗;步骤七,冲洗、干燥。2.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤一中,使用气体保护治具进行喷砂,对石英部件进行WA400#微粉喷砂,所采用的输送气压力为0.5-1Kg.cm2,喷砂时间3~5分钟。3.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤二中,使用旋转平台和采用一定筛分的碳化硅磨料对特定区域进行打磨,通过多种筛分的碳化硅磨料的多次打磨,先粗后细,转台转速30-75rmp。4.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤三中,使用氧气-氢气火焰进行抛光,获得粗糙度低于0.5um的镜面效果。5.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤四中,将产品放入高温炉,进行1000-1150℃高温退火。6.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤五中,氨水双氧水溶液的配比为NH4OH:H2O2:H2O=0.5-1:0.5-2:2-4;硝氟酸溶液的配比为HF:HNO3:H2O=1:5-10:44-60。7.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤五中,氨水双氧水溶液中原液浓度:氨水28-30%、双氧水28-30%;硝氟酸溶液中原液浓度:硝酸69-70%、氢氟酸49-50%。8.根据权利要求1所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤六中,将石英部件进行超声波清洗,超声波槽中超纯水温度20-38℃,超声波频率为40~80KHz,超声波清洗时间为10~30min,而后超纯水冲洗并用0.1微米的过滤氮气吹干。9.根据权利要求8所述的半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法,其特征在于:步骤六以及步骤七中,超纯水为电阻率大于18MΩ的去离子水。2CN111940394A说明书1/3页半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体是清洗方法。背景技术[0002]在半导体器件的制造工艺中,随着半导体制程要求越来越高,对寄生电流要求越来越高,其中对于铜连线的铜纯度要求越来越高,对于28nm以下制程APC(反应模式的预清洁设备)装置有利于提高铜的纯度,而被广泛应用。[0003]在APC装置中通入氢气的提纯铜的过程中,由于低真空度的情况下,氢气在提纯硅片表面的铜的同时,会把装置中石英部件基体二氧化硅的中氧夺取,发生如下化学反应:SiO2+N2+H2→SiON+SixNy+H2O,使得石英部件表面变得粗糙,鉴于副产物-SiON/SixNy耐酸耐碱能力强,难以在不破坏部件材料石英本体(二氧化硅)情况下使用化