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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112185808A(43)申请公布日2021.01.05(21)申请号201910597044.X(22)申请日2019.07.03(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人刘志坤董天化袁俊兰启明(74)专利代理机构北京市一法律师事务所11654代理人刘荣娟(51)Int.Cl.H01L21/266(2006.01)H01L21/324(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称离子注入区的形成方法以及半导体器件(57)摘要本申请提供一种离子注入区的形成方法以及半导体器件,所述离子注入区的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括有源区以及用于隔离所述有源区的隔离结构;在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层;在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入,在所述半导体衬底内形成离子注入区;退火,使所述离子注入区内的注入离子均匀分布;去除所述牺牲氧化层。所述方法消除了离子注入区与隔离结构边界处的氧化硅残留。CN112185808ACN112185808A权利要求书1/1页1.一种离子注入区的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括有源区以及用于隔离所述有源区的隔离结构;在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层;在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入,在所述半导体衬底内形成离子注入区;退火,使所述离子注入区内的注入离子均匀分布;去除所述牺牲氧化层。2.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述半导体衬底的有源区包括第一有源区和第二有源区,所述第一有源区和第二有源区形成的离子注入区的注入离子类型不同。3.如权利要求2所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区,其中,在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入,在所述半导体衬底内形成离子注入区的工艺包括:在所述牺牲氧化层上形成第一掩膜,所述第一掩膜暴露所述第一有源区的部分区域;通过所述第一掩膜进行第一离子注入,在所述第一有源区形成第一离子注入区;去除所述第一掩膜;在所述牺牲氧化层上形成第二掩膜,所述第二掩膜暴露所述第二有源区的部分区域;通过所述第二掩膜进行第二离子注入,在所述第二有源区进行第二离子注入区;去除所述第二掩膜。4.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,去除所述牺牲氧化层的工艺为湿法刻蚀工艺,所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包含HF。5.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述第一掩膜厚度范围为25500埃至26500埃,所述第二掩膜厚度范围为25500埃至26500埃。6.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述第一离子注入工艺为N型离子注入,所述第二离子注入工艺为P型离子注入。7.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述退火工艺的退火温度大于等于900摄氏度,退火时间大于等于30分钟。8.如权利要求7所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述退火工艺的退火温度为900摄氏度至1000摄氏度,退火时间为30分钟至60分钟。9.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法,其特征在于,所述牺牲氧化层材料为氧化硅。10.一种半导体器件,包括离子注入区,所述离子注入区位于半导体衬底的有源区,其中,所述离子注入区采用权利要求1至9中所述的任一方法形成。2CN112185808A说明书1/7页离子注入区的形成方法以及半导体器件技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域,具体来说,涉及一种离子注入区的形成方法以及包括所述离子注入区的半导体器件。背景技术[0002]在半导体器件制作工艺中,由于高压半导体器件(HVdevice)有较高操作电压的要求,在半导体衬底中形成沟槽隔离结构后,通常需要在半导体衬底进行N型或者P型离子注入(N/Pdriftimplantation)来增加所述半导体器件的击穿电压。[0003]进行所述N型或者P型离子注入的区域对应于所述半导体器件的源漏区域,并且离子注入的范围大于源漏区域的范围。所述N型或者P型离子注入的深度通常大于6000埃,这就需要有非常厚的光阻掩膜来遮盖不需要进行离子注入的区域,通常所述光阻掩膜的厚度范围为25500埃至26500埃。所述厚度的光阻掩膜会在离子注入时产生比较严重的阴影效应(shadoweffect),导致光阻掩膜的边界处(PRboundary)注入的离子剂量非常少。[0004]所述离子注入剂量的不均匀会导致在离子注入区的边界处产生缺陷,影响所述高压半导体器件的性能。发明内容[0005]