离子注入区的形成方法以及半导体器件.pdf
一只****呀淑
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相关资料
离子注入区的形成方法以及半导体器件.pdf
本申请提供一种离子注入区的形成方法以及半导体器件,所述离子注入区的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括有源区以及用于隔离所述有源区的隔离结构;在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层;在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入,在所述半导体衬底内形成离子注入区;退火,使所述离子注入区内的注入离子均匀分布;去除所述牺牲氧化层。所述方法消除了离子注入区与隔离结构边界处的氧化硅残留。
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件.pdf
一种形成半导体器件的方法包括:在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分;以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外,该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分,以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外,该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面:去除多个非半导体材料部分中的至少子集,而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分;或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分,而保留
半导体结构及其形成方法以及半导体器件.pdf
本发明提供了一种半导体结构的形成方法,包括在源漏接触金属层上形成填满沟槽的第二瓶塞材料层,并使所述第二瓶塞材料层的顶面高于覆盖栅极结构顶面的第一瓶塞材料层的顶面,有利于拓展不同瓶塞材料层的材料选择自由度,使得栅极和源漏接触可以仅使用一种瓶塞材料,从而简化了加工工艺。本发明还提供了通过所述形成方法得到的半导体结构以及包括所述半导体结构的半导体器件。
形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件.pdf
本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括:(a)在衬底上形成第一和第二绝缘层;(b)形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模;(c)形成向下至第一绝缘层下端的通孔;(d)以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层;(e)形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模;(f)形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔;(g)去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分;(h)通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔;(i)
半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明是关于一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包含:衬底;第一氮化物半导体层,位于所述衬底上方;第二氮化物半导体层,位于所述第一氮化物半导体层上方,且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙,所述第二氮化物半导体层包含第一经掺杂区域和第一本征区域;源极接触及漏极接触,位于所述第二氮化物半导体层上方;栅极结构,位于所述第二氮化物半导体层上方和所述源极接触和所述漏极接触之间,所述栅极结构包含第三氮化物半导体层和位于其上方的栅极接触;以及,第四氮化物半导体层,位于所述第二氮化物半导体层上方和所述