一种靶材表面的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112267099A(43)申请公布日2021.01.26(21)申请号202011133191.0(22)申请日2020.10.21(71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路(72)发明人姚力军边逸军潘杰王学泽时晓旭(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659代理人王岩(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)B08B3/02(2006.01)B08B3/12(2006.01)F26B21/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页(54)发明名称一种靶材表面的清洗方法(57)摘要本发明提供了一种靶材表面的清洗方法，所述清洗方法包括以下步骤：将靶材表面进行流水清洗并擦拭，然后依次进行超声振动清洗、喷射清洗和吹扫干燥，得到清洗完成的靶材。本发明所述方法采用多级清洗工艺，对加工完成后的靶材依次进行流水清洗、超声振动清洗以及喷射清洗，使靶材组件的溅射面、喷砂熔射区、凹槽等各区域均能够完成清洗，达到完全去污、去油、去杂质、去粉尘的效果；本发明采用吹扫干燥的方式，快速吹干，避免液体长时间残留容易形成水印的问题；本发明清洗过程中未使用任何有机溶剂，清洗成本低，产生废液量较少。CN112267099ACN112267099A权利要求书1/2页1.一种靶材表面的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：将靶材表面进行流水清洗并擦拭，然后依次进行超声振动清洗、喷射清洗和吹扫干燥，得到清洗完成的靶材。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述靶材包括金属靶材、合金靶材或陶瓷靶材中任意一种或至少两种的组合；优选地，所述靶材表面包括靶材溅射面和喷砂熔射区域。3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述流水清洗为采用超纯水进行靶材表面的冲洗；优选地，所述擦拭为采用清洁海绵对靶材的溅射面、喷砂熔射区域、密封圈槽和孔槽进行擦洗；优选地，所述清洁海绵包括擦擦克林海绵或纳米海绵。4.根据权利要求1-3任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述靶材进行流水清洗和擦拭时，靶材置于放置台上；优选地，所述放置台上垫净化布。5.根据权利要求1-4任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述超声振动清洗采用具有抛动功能的超声波设备，优选为具有抛动轴承支架的超声波设备；优选地，所述超声振动清洗的介质为超纯水。6.根据权利要求1-5任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述超声振动清洗的功率为1500～2500W；优选地，所述超声振动清洗的温度为15～25℃；优选地，所述超声振动清洗的时间为5～15min。7.根据权利要求1-6任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述喷射清洗为采用高压水枪对喷砂熔射区域进行冲击；优选地，所述高压水枪所用介质为高纯水；优选地，所述高压水枪的喷射压力为10～25MPa；优选地，所述喷射清洗的时间为0.5～2min。8.根据权利要求1-7任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述吹扫干燥为采用压缩气体对靶材进行吹扫干燥；优选地，所述压缩气体包括惰性气体和/或氮气；优选地，所述压缩气体的压力为0.1～0.3MPa；优选地，所述吹扫干燥的时间为3～5min。9.根据权利要求1-8任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述靶材清洗完成后进行真空包装；优选地，所述真空包装时抽真空的时间不少于10s。10.根据权利要求1-9任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将靶材表面进行流水清洗并擦拭，所述流水清洗为采用超纯水进行靶材表面的冲洗，所述擦拭为采用清洁海绵对靶材的溅射面、喷砂熔射区域、密封圈槽和孔槽进行擦洗；(2)将步骤(1)处理后的靶材采用具有抛动功能的超声波设备进行超声振动清洗，所用介质为超纯水，所述超声振动清洗的功率为1500～2500W，温度为15～25℃，时间为5～2CN112267099A权利要求书2/2页15min；(3)将步骤(2)处理后的靶材采用高压水枪对喷砂熔射区域进行喷射清洗，所述高压水枪所用介质为高纯水，喷射清洗的压力为10～25MPa，时间为0.5～2min；(4)将步骤(3)处理后的靶材采用压缩气体进行吹扫干燥，所述压缩气体包括惰性气体和/或氮气，所述压缩气体的压力为0.1～0.3MPa，吹扫干燥的时间为3～5min，得到清洗完成的靶材。3CN112267099A说明书1/6页一种靶材表面的清洗方法技术领域[0001]本发明属于靶材制备技术领域，涉及一种靶材表面的清洗方法。背景技术[0002]随着半导体行业的快速发展，镀膜材料作为半导体电子器件制造的重要材料，其需求量也日益增加。靶材作为一种重要的镀膜材料，在集成电路、平面显示、