一种陶瓷靶材的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113458036A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110813219.3C23C14/34(2006.01)(22)申请日2021.07.19(71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路(72)发明人姚力军边逸军潘杰王学泽杨慧珍(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659代理人王岩(51)Int.Cl.B08B1/00(2006.01)B08B3/12(2006.01)B08B3/08(2006.01)F26B21/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页(54)发明名称一种陶瓷靶材的清洗方法(57)摘要本发明提供了一种陶瓷靶材的清洗方法，所述清洗方法包括以下步骤：将陶瓷靶材的表面进行擦拭清洗；将处理后的陶瓷靶材采用有机溶剂进行超声波清洗；将处理后的陶瓷靶材依次进行吹扫干燥和真空干燥，得到清洗后的陶瓷靶材。本发明所述方法根据陶瓷靶材的材质特性，依次采用擦拭清洗、超声波清洗的方式将靶材表面的油污、污迹、粉尘等充分去除，再经吹扫、真空等干燥方式将清洗液去除，保证靶材表面的洁净度，从而保证溅射过程稳定，满足使用要求；所述方法中真空干燥前先进行吹扫干燥，可将靶材表面的清洗液成分快速吹干，避免液体长时间残留容易形成液体印记的问题；所述方法操作简单，清洗成本低，尤其适用于陶瓷类靶材的清洗。CN113458036ACN113458036A权利要求书1/2页1.一种陶瓷靶材的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：(1)将陶瓷靶材的表面进行擦拭清洗；(2)将步骤(1)处理后的陶瓷靶材采用有机溶剂进行超声波清洗；(3)将步骤(2)处理后的陶瓷靶材依次进行吹扫干燥和真空干燥，得到清洗后的陶瓷靶材。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述陶瓷靶材包括碳化硅靶材、氮化硅靶材或碳/碳化硅复合靶材中任意一种或至少两种的组合；优选地，步骤(1)所述陶瓷靶材的表面包括靶材溅射面、喷砂区域和凹槽区域。3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述擦拭清洗为：先在陶瓷靶材的溅射面喷超纯水，然后采用擦擦克林海绵对溅射面进行擦拭；优选地，步骤(1)所述擦拭清洗的终点为擦拭后擦擦克林海绵表面无深色印记。4.根据权利要求1‑3任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(2)所述超声波清洗时将陶瓷靶材浸没于有机溶剂中；优选地，所述有机溶剂包括异丙醇、正丙醇或无水乙醇中任意一种或至少两种的组合；优选地，所述陶瓷靶材的浸没深度至少为1cm。5.根据权利要求1‑4任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(2)所述超声波清洗的功率为1500～2000W；优选地，步骤(2)所述超声波清洗的温度为20～25℃；优选地，步骤(2)所述超声波清洗的时间为16～25min。6.根据权利要求1‑5任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(3)所述吹扫干燥为采用压缩气体对陶瓷靶材进行吹扫干燥；优选地，所述压缩气体包括惰性气体和/或氮气；优选地，所述压缩气体的压力为0.3～0.5MPa。7.根据权利要求1‑6任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(3)所述吹扫干燥的时间至少为2min，优选为2～5min；优选地，步骤(3)所述吹扫干燥的终点为陶瓷靶材表面无液体印记。8.根据权利要求1‑7任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(3)所述真空干燥的温度为60～90℃；优选地，步骤(3)所述真空干燥的压力为‑0.09～‑0.1MPa；优选地，步骤(3)所述真空干燥的时间为45～75min。9.根据权利要求1‑8任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述陶瓷靶材真空干燥后进行真空包装；优选地，所述陶瓷靶材取出后在90min内完成真空包装。10.根据权利要求1‑9任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：(1)将陶瓷靶材的表面进行擦拭清洗，所述擦拭清洗为：先在陶瓷靶材的溅射面喷超纯水，然后采用擦擦克林海绵对溅射面进行擦拭，所述擦拭清洗的终点为擦拭后擦擦克林海绵表面无深色印记；(2)将步骤(1)处理后的陶瓷靶材采用有机溶剂进行超声波清洗，所述超声波清洗时将2CN113458036A权利要求书2/2页陶瓷靶材浸没于有机溶剂中，浸没深度至少为1cm，所述超声清洗的功率为1500～2000W，温度为20～25℃，时间为16～25min；(3)将步骤(2)处理后的陶瓷靶材采用压缩气体进行吹扫干燥，所述压缩气体包括惰性气体和/或氮气，所述压缩气体的压力为0.3～0.5MPa，吹扫干燥的时间至少为2min，吹扫干燥的终点为陶瓷靶材表面无液体印记，然后进行真空干燥，所述真空干燥的温