具有空气间隔的半导体元件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112309960A(43)申请公布日2021.02.02(21)申请号202010419913.2(22)申请日2020.05.18(30)优先权数据16/520,6562019.07.24US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人叶焕勇(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003代理人韩旭黄艳(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/528(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图10页(54)发明名称具有空气间隔的半导体元件及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件及其制备方法，更具体地涉及一种具有空气间隔的半导体元件及其制造方法。该制备方法包括在一基底上方形成一第一导电结构；在该第一导电结构上方形成一介电结构；将该第一导电结构的一侧壁部分转变成一第一介电部分；移除该第一介电部分以使该第一届殿结构的一宽度大于该第一导电结构的一余留部分的一宽度；以及形成覆盖该第一介电结构的多个侧壁的一层间介电层，以使一第一空间间隔形成在该层间介电层与该第一导电结构的该余留部分之间。CN112309960ACN112309960A权利要求书1/2页1.一种半导体元件的制备方法，包括：在一基底的上方形成一第一导电结构；在该第一导电结构上方形成一第一介电结构；将该第一导电结构的一侧壁部分转变成一第一介电部分；移除该第一介电部分，以使该第一介电部分的一宽度大于该第一导电结构的一余留部分的一宽度；以及形成覆盖该第一介电结构的一层间介电层，以使一第一空气间隔形成在该层间介电层与该第一导电结构的该余留部分之间。2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一导电结构的一侧壁转变之前，该第一导电结构的该侧壁大致地与该第一介电结构的该侧壁共面。3.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一导电结构的该侧壁部分转变的步骤，还包括：在该第一导电结构上执行一热处理制程，以在该第一导电结构知该余留部分的多个相对侧壁上方形成该第一介电部分，其中该第一介电部分的一材料不同于该第一介电结构的一材料。4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其中该热处理制程为一氧化制程或一氮化制程，而该第一介电结构覆盖该第一介电部分。5.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该层间介电层在该第一导电结构的该余留部分的一下侧壁上方延伸，并与该第一导电结构的该余留部分的该下侧壁直接接触。6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一空气间隔的一底表面高于该第一导电结构的该余留部分的一底表面。7.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括：在该基底上方形成一第二导电结构；在该第二导电结构上方形成一第二介电结构；在该第一介电部分形成期间，将该第二导电结构的一侧壁部分转变成一第二介电部分；以及移除该第二介电部分，以使该第一导电结构的该余留部分与该第二导电结构的一余留部分之间的一距离，大于该第一介电结构与该第二介电结构之间的一距离。8.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中形成该层间介电层以覆盖该第二介电结构的一侧壁，以使一第二空气间隔形成在该层间介电层与该第二导电结构的该余留部分之间；其中该第一介电结构与该第二介电结构分别地完全覆盖该第一空气间隔与该第二空气间隔。9.一种半导体元件的制备方法，包括：在一基底上方形成一导电层；在该导电层上方形成一介电层；图案化该介电层与该导电层，以形成一第一介电结构、一第二介电结构、一第一导电结构以及一第二导电结构，其中一第一开口形成在该第一介电结构与该第二介电结构之间，2CN112309960A权利要求书2/2页且一第二开口形成在该第一导电结构与该第二导电结构之间；部分地移除该第一导电结构与该第二导电结构，以形成一扩大的第二开口；以及在该扩大的第二开口形成之后，在该第一开口中沉积一层间介电层，以使该第一导电结构的一上侧壁通过一第一空气间隔而与该层间介电层分开设置。10.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中该第一介电结构的一底表面以及该第二介电结构的一底表面通过该扩大的第二开口而部分地暴露。11.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中该扩大的第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度。12.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中该第二导电结构的一上侧壁通过一第二空气间隔而与该层间介电层分开设置；以及其中该第一介电结构完全地覆盖在该第一空气间隔与该层间介电层之间的一界面，而该第二介电结构完全地覆盖在该第二空气间隔与该层间介电层之间的一界面。13.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中该第一导电结构的一下侧壁以及该第二导电结构的一下侧壁均直接接触该层间