半导体元件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863285A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202210699859.0(22)申请日2022.06.20(30)优先权数据17/484,9882021.09.24US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人艾子杰(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师闫华(51)Int.Cl.H01L23/48(2006.01)H01L21/768(2006.01)H01L23/522(2006.01)H01L23/528(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图23页(54)发明名称半导体元件及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件和该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；设置在该基底上方的一垫层结构，包括一底部和两个侧部，其中该底部平行于该基底的一顶面设置，该两个侧部分别设置在该底部的两侧，并沿平行于该基底该顶面的一法线方向延伸；以及围绕该垫层结构的一绝缘体薄膜。该绝缘体薄膜的一顶面的垂直高度高于该垫层结构的一顶面的垂直高度。CN115863285ACN115863285A权利要求书1/2页1.一种半导体元件，包括：一基底；一垫层结构，设置在该基底上方，包括一底部和两个侧部，其中该底部平行于该基底的一顶面，该两个侧部分别设置在该底部的两侧，并沿平行于该基底该顶面的一法线方向延伸；以及一绝缘体薄膜，围绕该垫层结构；其中该绝缘体薄膜的一顶面的垂直高度高于该垫层结构的一顶面的垂直高度。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该两个侧部的一顶面的垂直高度高于该底部的一顶面的垂直高度。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该两个侧部的该顶面具有圆滑剖面轮廓。4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一底部触点，设置在该垫层结构下并与该垫层结构接触。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一顶部触点，设置在该垫层结构上。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该顶部触点的宽度小于该垫层结构的宽度。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该顶部触点的宽度大于该底部的宽度。8.如权利要求5所述的半导体元件，其中该顶部触点的宽度小于该底部的宽度。9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一漏极，设置在该基底中并通过该底部触点与该垫层结构电性耦合。10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一电容器结构，设置在该垫层结构上方，并通过该顶部触点与该垫层结构电性耦合。11.一种半导体元件的制备方法，包括：提供包括一顶面的一基底；在该基底上形成一介电层；在该介电层上形成一绝缘体薄膜；对该绝缘体薄膜执行一图案化工艺，以沿该绝缘体薄膜形成一垫层开口，并暴露出该介电层的一部分；在该绝缘体薄膜的一顶面上和该垫层开口中，共形地形成一第一导电材料的层；形成一底层以完全填充该垫层开口；以及移除形成在该绝缘体薄膜的该顶面上的该第一导电材料的层，以形成一垫层结构；其中该垫层结构包括一底部和两个侧部，该底部与该基底的该顶面平行形成，该两个侧部在该底部的两侧形成，并沿平行于该基底的该顶面的一法线方向延伸。12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该底层包括一光刻胶材料。13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中执行一各向同性的蚀刻工艺，以移除形成在该绝缘体薄膜的该顶面上的该第一导电材料的层。14.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，还包括在该介电层中形成一底部触点；其中该底部触点与该垫层结构电性连接。15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，还包括在该垫层结构的该底部上形成一顶部触点。2CN115863285A权利要求书2/2页16.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，还包括在该垫层结构的该底部和该两个侧部上形成一顶部触点。17.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，还包括在该顶部触点上形成一电容器结构；其中该电容器结构通过该顶部触点与该垫层结构电性耦合。18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，其中该垫层结构包括钨、氮化钛、铜、铝或其组合。19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，还包括在该基底中形成一漏极；其中该漏极通过该底部触点与该垫层结构电性耦合。20.如权利要求19的半导体元件的制备方法，其中该绝缘体薄膜包括氧化硅、硼磷硅酸盐玻璃、未掺杂的硅酸盐玻璃、氟化硅酸盐玻璃或低介电常数电介质材料。3CN115863285A说明书1/14页半导体元件及其制备方法[0001]本发明主张2021年9月24日申请的美国正式申请案第17/484,988号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。技术领域[0002]本公开涉及一种半导体元件及其制备方法，尤其涉及一种具