半导体元件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763420A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202210300834.9(22)申请日2022.03.24(30)优先权数据17/465,3092021.09.02US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人李维中丘世仰(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L23/50(2006.01)H01L23/528(2006.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图17页(54)发明名称半导体元件及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中并邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面，以及远离该下导电区。该第一漏极区的一上表面以及该基底的一上表面大致为共面。该下导电区与该第一延伸导电区包括相同的电类型。该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。CN115763420ACN115763420A权利要求书1/2页1.一种半导体元件，包括：一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中且邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面，以及远离该下导电区；其中该第一漏极区的一上表面与该基底的一上表面为共面；其中该下导电区与该第一延伸导电区包括相同电类型；其中该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第一源极区，邻近该第一栅极结构的另一侧壁处；其中该第一源极区的一上表面与该基底的该上表面大致为共面。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一基线导电区，设置在该基底中；其中该基线导电区的一上表面与该基底的该上表面大致为共面；其中该基线导电区与该下导电区包括相同电类型。4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一边缘导电区，设置在该基底中、在该下导电区上、在该基线导电区下方，以及远离该基线导电区；其中该下导电区与该边缘导电区包括相同电类型。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个栅极间隙子，设置在该第一栅极结构的所述侧壁上以及在该基底上；其中该多个栅极间隙子包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括多个第一轻度掺杂区，设置在该基底中、分别且对应邻接该第一漏极区与该第一源极区，以及分别且对应在该多个栅极间隙子下方。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一栅极结构包括一第一栅极介电层以及一第一栅极导电层，该第一栅极介电层设置在该基底上，该第一栅极导电层设置在该第一栅极介电层上。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一延伸导电区的一下表面在一垂直位面，其低于该边缘导电区的一上表面的一垂直位面。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该基线导电区的一下表面与该第一漏极区的该下表面大致为共面。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该基线导电区的一下表面在一垂直位面，其低于该第一漏极区的该下表面的一垂直位面。11.如权利要求8所述的半导体元件，其中在一顶视图中，该第一延伸导电区的一长度大于或等于该第一漏极区的一长度。12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该边缘导电区的一长度大于或等于该基线导电区的一长度。13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该基底与该下导电区包括相同电类型。14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一漏极区经配置以电性耦接到一外部电压源，其介于大约+0.0伏特到大约+6.0伏特之间。2CN115763420A权利要求书2/2页15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该基线导电区经配置以电性耦接到一外部电压源，其介于大约+0.0伏特到大约‑2.0伏特之间。16.如权利要求13所述的半导体元件，还包括一第二栅极结构、一第二漏极区以及一第二延伸导电区；其中该第二栅极结构设置在该基底上、在该第一栅极结构与该基线导电区之间；其中该第二漏极区设置在该基底中、接近该第二栅极结构的其中一侧壁，以及在该第一源极区与该基线导电区之间；其中该第二延伸导电区设置在该基底中、在该第二漏极区下方、接触该第二漏极区的一下表面，以及远离该下导电区；其中该第二漏极区的一上表面与该基底的一上表面大致为共面；其中该下导电区与该第二延伸导电区包括相同电类型；其中该第二漏极区与该第二延伸导电区包括不同电类型。17.如权利要求16所述的半导体元