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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966507A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202210498934.7(22)申请日2022.05.09(30)优先权数据17/497,7752021.10.08US17/500,4562021.10.13US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人黄则尧(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图15页(54)发明名称具有插塞结构的半导体元件及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;一插塞结构,包括设置在该基底上的一底部导电层、设置在该底部导电层上的一中间导电层、设置在该中间导电层上的一顶部导电层,以及覆盖该中间导电层的一侧壁并设置在该底部导电层和该顶部导电层之间的一绝缘覆盖层;以及设置在该基底上并围绕该插塞结构的一第一介电质层。该底部导电层的一宽度大于该中间导电层的一宽度。该顶部导电层的一宽度大于该中间导电层的该宽度。CN115966507ACN115966507A权利要求书1/2页1.一种半导体元件,包括:一基底;一插塞结构,包括:一底部导电层,设置在该基底上;一中间导电层,设置在该底部导电层上;一顶部导电层,设置在该中间导电层上;以及一绝缘覆盖层,覆盖该中间导电层的一侧壁并设置在该底部导电层和该顶部导电层之间;以及一第一介电质层,设置在该基底上并围绕该插塞结构;其中该底部导电层的一宽度大于该中间导电层的一宽度;其中该顶部导电层的一宽度大于该中间导电层的该宽度。2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该底部导电层的该宽度和由该中间导电层的该宽度和该绝缘覆盖层的一厚度组成的一总宽度大致相同。3.如权利要求1所述的半导体元件,其中该顶部导电层的一侧壁、该绝缘覆盖层的一侧壁和该底部导电层的一侧壁实质上共面。4.如权利要求3所述的半导体元件,其中该第一介电质层的一顶部表面位于大约该顶部导电层的一顶部表面和该顶部导电层的一底部表面之间的一垂直水平面上。5.如权利要求4所述的半导体元件,还包括一底部介电质层,设置在该第一介电质层和该基底之间。6.如权利要求5所述的半导体元件,还包括一第二介电质层,设置在该第一介电质层上,其中该第二介电质层的一顶部表面位在大于该顶部导电层的该顶部表面的一垂直水平面上。7.如权利要求6所述的半导体元件,还包括一触点,设置在该顶部导电层上并与该顶部导电层电连接。8.如权利要求7所述的半导体元件,其中该触点包括一下部和一上部,该下部设置在该顶部导电层上,该上部设置在该下部上,且该上部的一宽度大于该下部的一宽度。9.如权利要求8所述的半导体元件,还包括一第三介电质层,设置在该第二介电质层上并围绕该触点。10.如权利要求9所述的半导体元件,其中该底部导电层的一厚度和该顶部导电层的一厚度大致相同。11.如权利要求9所述的半导体元件,其中该底部导电层的一厚度大于该顶部导电层的一厚度。12.如权利要求9所述的半导体元件,其中该第一介电质层包括一多孔介电质材料,该中间导电层包括铝和铜,该底部导电层和该顶部导电层包括钛和氮化钛,以及该绝缘覆盖层包括氧化铝。13.如权利要求1所述的半导体元件,其中该绝缘覆盖层的一厚度与该中间导电层的一宽度之比在大约1:20到大约1:2000的范围内。14.一种半导体元件的制备方法,包括:提供一基底;2CN115966507A权利要求书2/2页依次在该基底上形成一第一导电材料的层、一第二导电材料的层、一第三导电材料的层和一抗反射涂层;执行一插塞蚀刻工艺,将该第一导电材料的层转变成该基底上的一底部导电层,将该第二导电材料的层转变成该底部导电层上的一中间导电的层,并将该第三导电材料的层转变成该中间导电层上的一顶部导电层;在该中间导电的层的一侧壁上选择性地形成一绝缘覆盖层,其中该底部导电层、该中间导电层、该顶部导电层和该绝缘覆盖层共同配置一插塞结构;以及在该基底上并围绕该插塞结构形成一第一介电质层;其中该底部导电层的一宽度大于该中间导电层的一宽度,该顶部导电层的一宽度大于该中间导电层的该宽度。15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法,其中该第一介电质层包括一多孔介电质材料,该中间导电层包括铝和铜,该底部导电层和该顶部导电层包括钛和氮化钛,以及该绝缘覆盖层包括氧化铝。16.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法,还包括在该第一介电质层和该基底之间形成一底部介电质层。17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法,还包括执行一回蚀工艺,将该第一介电质层的一顶部表面降低到该顶部导电层的一顶部表面和该顶部导电层的一底部表面之间