高纯硒制备设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112340709A(43)申请公布日2021.02.09(21)申请号202011203425.4(22)申请日2020.11.02(71)申请人广东先导稀贵金属材料有限公司地址511500广东省清远市清新区禾云镇广东先导稀材股份有限公司A区、B区(72)发明人林益剑吴伟平刘留(74)专利代理机构北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387代理人张向琨(51)Int.Cl.C01B19/02(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称高纯硒制备设备(57)摘要本公开提供了一种高纯硒制备设备，其使用第一温控装置控制熔料坩埚内的温度，使熔料坩埚内的硒原料熔化为硒溶液，使用第二温控装置控制蒸发坩埚内的温度，使硒溶液蒸发为硒气体，硒气体排出蒸发坩埚进入填料装置，沸点高于硒的沸点的高沸点杂质则留在蒸发坩埚内，硒气体通过填料装置进一步过滤掉硒气体中掺杂的高沸点杂质并进入第一连接管，通过冷却水套使硒气体凝华成硒粉末，将硒粉末输送至第一分离装置，第一分离装置将硒粉末与气体分离，分离后的硒粉末排出至第一产品桶，以由第一产品桶收集高纯硒产品。高纯硒制备设备能有效除去硒原料中含有的高沸点杂质，经过填料装置过滤、冷却水套冷却凝华和第一分离装置分离最终能获得稳定的高纯硒。CN112340709ACN112340709A权利要求书1/2页1.一种高纯硒制备设备，其特征在于，包括熔料坩埚(1)、蒸发坩埚(2)、第一温控装置(3A)、第二温控装置(3B)、填料装置(4)、冷却水套(5)、第一分离装置(6A)、第一连接管(7A)以及第一产品桶(8A)；蒸发坩埚(2)配置为连接于熔料坩埚(1)，第一温控装置(3A)设置于熔料坩埚(1)的外部，且第二温控装置(3B)设置于蒸发坩埚(2)的外部；蒸发坩埚(2)上设置有进氮气口(21)，用于向蒸发坩埚(2)内通入氮气；填料装置(4)设置于蒸发坩埚(2)的上方，填料装置(4)配置为通过第一连接管(7A)与第一分离装置(6A)连接，冷却水套(5)套设于第一连接管(7A)的外周，第一产品桶(8A)设置于第一分离装置(6A)的下方；熔料坩埚(1)用于将盛装于熔料坩埚(1)内的硒原料加热熔化为硒溶液，第一温控装置(3A)用于实时控制熔料坩埚(1)内的温度；蒸发坩埚(2)用于从熔料坩埚(1)接收硒溶液并将硒溶液蒸发为硒气体，第二温控装置(3B)用于实时控制蒸发坩埚(2)内的温度；填料装置(4)用于从蒸发坩埚(2)接收硒气体并过滤硒气体，以将硒气体中掺杂的高沸点杂质除去；冷却水套(5)和第一连接管(7A)用于将从填料装置(4)接收的过滤后的硒气体冷却为硒粉末并输送至第一分离装置(6A)，第一分离装置(6A)用于从第一连接管(7A)接收硒粉末、将硒粉末与硒粉末中掺杂的氮气分离并将分离后的硒粉末排出至第一产品桶(8A)。2.根据权利要求1所述的高纯硒制备设备，其特征在于，高纯硒制备设备还包括第二分离装置(6B)和第二产品桶(8B)；第二分离装置(6B)配置为连接于第一分离装置(6A)，第二产品桶(8B)设置于第二分离装置(6B)的下方；第二分离装置(6B)用于从第一分离装置(6A)接收经过第一分离装置(6A)分离后的氮气、将氮气与氮气中掺杂的残留硒粉末分离并将分离后的残留硒粉末排出至第二产品桶(8B)。3.根据权利要求2所述的高纯硒制备设备，其特征在于，第一分离装置(6A)包括第一进料口(61A)、下料口(62A)以及第一排气口(63A)；第一进料口(61A)用于通过第一连接管(7A)与填料装置(4)连接；下料口(62A)设置于第一分离装置(6A)的底部并用于与第一产品桶(8A)连接，下料口(62A)安装有下料阀(S)。4.根据权利要求3所述的高纯硒制备设备，其特征在于，第二分离装置(6B)包括收尘器(61B)和风机(62B)；收尘器(61B)包括进尘口(611)、出尘口(612)和第二排气口(613)；进尘口(611)用于与第一分离装置(6A)的第一排气口(63A)连接，出尘口(612)用于与第二产品桶(8B)连接，第二排气口(613)用于与风机(62B)连接。5.根据权利要求1所述的高纯硒制备设备，其特征在于，所述填料装置(4)包括由下至上依次设置的第一填料层(41)、第二填料层(42)以及第三填料层(43)；第一填料层(41)、第二填料层(42)以及第三填料层(43)的外部均设置有第三温控装置(3C)，第三温控装置(3C)用于控制第一填料层(41)的温度、第二填料层(42)的温度以及第三填料层(43)的温度依次递减。6.根据权利要求1所述的高纯硒制备设备，其特征在于，高纯硒制备设备还包括导引装置(9A)和输送装置(9B)，