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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108017042A(43)申请公布日2018.05.11(21)申请号201711418705.5(22)申请日2017.12.25(71)申请人清远先导材料有限公司地址511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号(72)发明人李德官朱刘范文涛胡智向邹林平(74)专利代理机构北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387代理人张向琨高虹(51)Int.Cl.C01B19/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称高纯硒化镉的制备方法(57)摘要本申请提供一种高纯硒化镉的制备方法,其包括步骤:S1,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中,升温至800℃~1200℃同时升压至10个标准大气压及以上,保温保压进行反应直至反应结束,降温降压后出炉,得到硒化镉初料;S2,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中,升温至700℃~900℃并通入氢气进行氢化除杂,降温出炉后得到高纯硒化镉。本申请以镉粒和硒粒为原料,高温高压反应后经氢化除杂,可得到高纯硒化镉,所述制备方法工艺流程短,产品收率高,部分不合规格的产品可作为原料重复利用,适合批量生产。CN108017042ACN108017042A权利要求书1/1页1.一种高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,包括步骤:S1,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中,升温至800℃~1200℃同时升压至10个标准大气压及以上,保温保压进行反应直至反应结束,降温降压后出炉,得到硒化镉初料;S2,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中,升温至700℃~900℃并通入氢气进行氢化除杂,降温出炉后得到高纯硒化镉。2.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述硒粒的粒径小于等于2mm,所述硒粒的纯度大于等于5N;所述镉粒的粒径小于等于2mm,所述镉粒的纯度大于等于5N。3.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,硒粒和镉粒的摩尔比为1:(0.99~1.01)。4.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,升压至10个标准大气压~100个标准大气压。5.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,以5℃/min~20℃/min升温至800℃~1200℃。6.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,保温保压进行反应的时间为0.5h~3h。7.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S2中,以5℃/min~20℃/min升温至700℃~900℃进行氢化除杂。8.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S2中,氢化除杂的时间为3h~15h。9.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S1中,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于石墨舟中,再将石墨舟置于高温高压炉内进行反应。10.根据权利要求1所述的高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,步骤S2中,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于石墨舟中,再将石墨舟置于气氛炉中的石英管内进行氢化除杂。2CN108017042A说明书1/4页高纯硒化镉的制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体材料领域,尤其涉及一种高纯硒化镉的制备方法。背景技术[0002]硒化镉(CdSe)是一种化合物N型半导体材料,其能隙值为1.74eV左右,处于理想的太阳能电池能隙范围内,有很好的光电转换效率。随着薄膜产业的飞速发展,薄膜科学技术与薄膜材料在材料学领域已成为研究的热点。硒化镉作为一种N型薄膜太阳能材料,可与碲化镉结成P-N结。研究其合成方法有利于薄膜太阳能材料的发展。同时硒化镉化合物也可用于制作红外调制器,红外探测等。[0003]目前国内外关于硒化镉合成的方法,鲜有报道。鉴于此,特提出本申请。发明内容[0004]鉴于背景技术中存在的问题,本申请的目的在于提供一种高纯硒化镉的制备方法,所述制备方法工艺流程短,产品收率高,部分不合规格的产品可作为原料重复利用,适合批量生产,同时所述方法得到的硒化镉具有较高的纯度。[0005]为了达到上述目的,本申请提供了一种高纯硒化镉的制备方法,其包括步骤:S1,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中,升温至800℃~1200℃同时升压至10个标准大气压及以上,保温保压进行反应直至反应结束,降温降压后出炉,得到硒化镉初料;S2,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中,升温至700℃~900℃并通入氢气进行氢化除杂,降温出炉后得到高纯硒化镉。[0006]相对于现有技术,本申请的有益效果为:[0007]本申请以镉粒和硒粒为原料,高温高压反应后经氢化除杂,可得到