掩模的制造方法、掩模及框架一体型掩模.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112424972A(43)申请公布日2021.02.26(21)申请号201980047191.8(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限(22)申请日2019.08.23公司11327代理人姜虎陈英俊(30)优先权数据10-2018-01019972018.08.29KR(51)Int.Cl.10-2018-01204332018.10.10KRH01L51/56(2006.01)H01L51/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日G03F7/20(2006.01)2021.01.14C23C14/24(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L21/02(2006.01)PCT/KR2019/0107412019.08.23(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/045900KO2020.03.05(71)申请人悟勞茂材料公司地址韩国京畿道(72)发明人李炳一金奉辰权利要求书2页说明书16页附图15页(54)发明名称掩模的制造方法、掩模及框架一体型掩模(57)摘要本发明涉及掩模的制造方法、掩模及框架一体型掩模。本发明的掩模的制造方法包括以下步骤：(a)在金属片材的一面形成被图案化的第一绝缘部；(b)在金属片材的一面通过湿蚀刻形成预定深度的第一掩模图案；(c)至少在第一掩模图案内填充第二绝缘部；(d)通过烘焙使第二绝缘部的至少一部分挥发；(e)在第一绝缘部的上部进行曝光，并只残留位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部；以及(f)在金属片材的一面进行湿蚀刻，以形成从第一掩模图案贯穿金属片材的另一面的第二掩模图案。CN112424972ACN112424972A权利要求书1/2页1.一种掩模的制造方法，包括以下步骤：(a)在金属片材的一面形成被图案化的第一绝缘部；(b)在金属片材的一面通过湿蚀刻形成预定深度的第一掩模图案；(c)至少在第一掩模图案内填充第二绝缘部；(d)通过烘焙使第二绝缘部的至少一部分挥发；(e)在第一绝缘部的上部进行曝光，并只残留位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部；以及(f)在金属片材的一面进行湿蚀刻，以形成从第一掩模图案贯穿金属片材的另一面的第二掩模图案。2.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第二掩模图案的宽度小于第一掩模图案的宽度。3.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第一掩模图案的预定深度的值小于金属片材的厚度。4.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第一掩模图案与第二掩模图案的形状之和整体上呈现锥形或者倒锥形。5.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，在形成第一掩模图案的步骤中，第一掩模图案形成为宽度大于第一绝缘部的图案之间的间隔。6.如权利要求5所述的掩模的制造方法，其中，第一绝缘部的两侧下部形成有底切部。7.如权利要求6所述的掩模的制造方法，其中，在只残留位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部的步骤中，第二绝缘部留在形成底切部的空间中。8.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，在第一绝缘部的上部进行曝光时，第一绝缘部对第二绝缘部起到曝光掩模的作用。9.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度。10.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第一绝缘部是黑色矩阵光刻胶或上部形成有金属镀膜的光刻胶材料。11.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，第二绝缘部是正型光刻胶材料。12.如权利要求11所述的掩模的制造方法，其中，在第一掩模图案内填充第二绝缘部的步骤中，填充稀释于溶剂中的第二绝缘部，并通过烘焙使溶剂挥发。13.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，位于第一绝缘部的垂直下部的残留的第二绝缘部的图案宽度与第一绝缘部的图案宽度对应。14.如权利要求13所述的掩模的制造方法，其中，在通过湿蚀刻形成第二掩模图案时，第二绝缘部起到湿蚀刻的掩模的作用。15.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，形成有第一掩模图案以及第二掩模图案的金属片材在OLED像素沉积中作为精细金属掩模使用。16.如权利要求1或2所述的掩模的制造方法，其中，金属片材是因瓦合金、超因瓦合金、镍、镍-钴中的任意一种材料。17.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，金属片材的厚度为2μm至50μm。18.如权利要求2所述的掩模的制造方法，其中，当通过电铸工艺制造金属片材时，将导2CN112424972A权利要求书2/2页电性基材作为阴极体使用，且在导电性基材的一面通过电铸形成金属片材，基材是掺杂的单晶硅材料或者因瓦合金、超因瓦合金、Si、Ti、Cu、Ag、GaN、SiC、GaAs、GaP、AlN、InN、InP、Ge、Al2O3、石墨、石墨烯、钙钛矿结构的陶瓷、