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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112420711A(43)申请公布日2021.02.26(21)申请号201910785856.7(22)申请日2019.08.23(71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台湾台中市(72)发明人蔡易宗林志豪李健志吴佳纬(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人周晓飞许曼(51)Int.Cl.H01L27/11524(2017.01)H01L27/11529(2017.01)H01L27/11548(2017.01)权利要求书2页说明书5页附图8页(54)发明名称存储器装置及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种存储器装置及其制造方法,此方法包含在基底上方形成多个栅极结构,在栅极结构的两侧形成第一间隙壁,在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层,在栅极结构上方形成金属硅化物层,在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层,以及对间隙壁材料层进行回刻蚀,以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层,接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物,以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁,可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题,进而改善存储器装置的良品率。CN112420711ACN112420711A权利要求书1/2页1.一种存储器装置的制造方法,其特征在于,包括:在一基底上方形成多个栅极结构;在所述多个栅极结构的两侧形成一第一间隙壁;在两相邻的该第一间隙壁之间填充一介电层;在所述多个栅极结构上方形成一金属硅化物层;在该金属硅化物层、该第一间隙壁和该介电层上方顺应性形成一间隙壁材料层;以及对该间隙壁材料层进行一回刻蚀,以在该金属硅化物层的两侧形成一第二间隙壁。2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,形成该金属硅化物层的步骤包括:在所述多个栅极结构、该第一间隙壁和该介电层上方形成一金属层;以及对该金属层进行一退火工艺,使该金属层与所述多个栅极结构反应以形成该金属硅化物层。3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该金属硅化物层之后以及在该回刻蚀之前,该金属硅化物层具有一残留物在该第一间隙壁和该介电层上。4.如权利要求3所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,该回刻蚀包括一第一刻蚀工艺和一第二刻蚀工艺,该第一刻蚀工艺移除该间隙壁材料层的水平部分以形成该第二间隙壁,该第二刻蚀工艺移除该金属硅化物层的该残留物。5.如权利要求4所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,该第一刻蚀工艺使用包括CF4或CHF3的刻蚀剂,且该第二刻蚀工艺使用包括HBr或Cl2的刻蚀剂。6.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,该回刻蚀为一干法刻蚀工艺。7.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法,其特征在于,进行一原子层沉积工艺形成该间隙壁材料层,且该原子层沉积工艺的工艺温度约550℃。8.一种存储器装置,其特征在于,包括:多个栅极结构,设置于一基底上方;一第一间隙壁,设置于所述多个栅极结构的两侧;一介电层,设置于两相邻的该第一间隙壁之间;一金属硅化物层,设置于所述多个栅极结构上方;以及一第二间隙壁,设置于该金属硅化物层的两侧。9.如权利要求8所述的存储器装置,其特征在于,该第二间隙壁直接接触该金属硅化物层。10.如权利要求8所述的存储器装置,其特征在于,该第二间隙壁的顶部高于该金属硅化物层的顶部。11.如权利要求8所述的存储器装置,其特征在于,该第二间隙壁的底表面与该金属硅化物层的底表面齐平。12.如权利要求8所述的存储器装置,其特征在于,所述多个栅极结构包括:一第一栅极电极;一栅极介电层,设置于该第一栅极电极上方;以及一第二栅极电极,设置于该栅极介电层上方。2CN112420711A权利要求书2/2页13.如权利要求8所述的存储器装置,其特征在于,该第二间隙壁包括氮化硅。3CN112420711A说明书1/5页存储器装置及其制造方法技术领域[0001]本发明实施例是有关于半导体技术,且特别是有关于存储器装置及其制造方法。背景技术[0002]快闪存储器(flashmemory)为有着高容量、高读取/写入速度、低功耗以及低成本的非挥发性存储器。由于快闪存储器具有非挥发性的特性,因此在关闭快闪存储器之后,资料仍能够储存于快闪存储器中。因此,许多现代电子装置广泛地使用快闪存储器。[0003]随着半导体装置尺寸的微缩,制造存储器装置的难度也大幅提升,存储器装置的工艺期间可能产生不想要的缺陷,这些缺陷可能会造成存储器装置的效能降低或损坏。因此,必须持续改善存储器装置,以提升良品率。发明内容[0004]在一实施例中,提供存储器装置的制造方法,此方法包含在基底上方形成多个栅