存储器装置及其制造方法.pdf
春景****23
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存储器装置及其制造方法.pdf
本发明提供了一种存储器装置及其制造方法,此方法包含在基底上方形成多个栅极结构,在栅极结构的两侧形成第一间隙壁,在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层,在栅极结构上方形成金属硅化物层,在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层,以及对间隙壁材料层进行回刻蚀,以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层,接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物,以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁,可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题,进而改善存储器装置的良
存储器装置及其制造方法和操作方法.pdf
本发明公开了一种具有具非矩形横截面存储器装置及其制造方法和操作方法。非矩形横截面可为反T型、梯形形状或双反T型。公开了一种用于生产归因于浮置栅极的增加的表面积而具有改良耦合比率的浮置栅极存储器装置的方法。存储器装置具有具诸如反T型的横截面形状的浮置栅极,以使得顶部轮廓不为平直线段。
靶及其制造方法、存储器及其制造方法.pdf
本发明公开了一种靶及其制造方法、存储器及其制造方法。该靶包括:选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素;选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素;以及选自由S、Se和Te组成的组的至少一种硫族元素。
非易失性存储器件及其制造方法.pdf
提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括:堆叠结构,包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜;以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部,并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
存储器结构及其制造方法.pdf
本发明涉及一种存储器结构及其制造方法,所述存储器结构的高压器件区包括衬底和衬底上的栅极结构,所述栅极结构包括高压区浮栅、覆盖所述高压区浮栅的高压区多晶硅栅、以及设于所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅之间的绝缘层,所述高压区浮栅顶部至少部分区域不设置所述绝缘层,从而使得所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅在不设置绝缘层的位置连通,所述高压器件区还包括位于衬底内、所述高压区浮栅下方两侧的轻掺杂漏极。本发明在高压器件区保留高压区浮栅结构,通过在高压区浮栅上叠加高压区多晶硅栅,增加了阻挡LDD注入的多晶硅的厚度,防止LDD