靶及其制造方法、存储器及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101985733A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101985733A(43)申请公布日2011.03.16(21)申请号201010237158.2(22)申请日2010.07.21(30)优先权数据175709/092009.07.28JP(71)申请人索尼公司地址日本东京都(72)发明人大场和博加守雄一木村均(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人彭久云(51)Int.Cl.C23C14/06(2006.01)C23C14/34(2006.01)G11C13/00(2006.01)G11C8/00(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图3页(54)发明名称靶及其制造方法、存储器及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种靶及其制造方法、存储器及其制造方法。该靶包括：选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素；选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素；以及选自由S、Se和Te组成的组的至少一种硫族元素。CN1098573ACN101985733A权利要求书1/1页1.一种靶，包括：选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素；选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素；以及选自由S、Se和Te组成的组的至少一种硫族元素。2.一种包含硫族元素的靶的制造方法，包括步骤：采用选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素和该组之外的附加元素形成合金锭；粉碎该合金锭；以及采用粉碎的该合金锭和选自由S、Se和Te组成的组的至少一种硫族元素形成靶。3.根据权利要求2所述的靶的制造方法，其中在形成该合金锭的步骤中，将粒子直径为100μm以上的材料用作作为原料的该至少一种高熔点金属元素。4.根据权利要求2所述的靶的制造方法，其中该组之外的该附加元素为选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素。5.根据权利要求2所述的靶的制造方法，还包括步骤：将该至少一种硫族元素和不是硫族元素的至少一种附加元素合金化，从而形成包括该至少一种硫族元素的第二合金锭；以及粉碎该第二合金锭，并且其中形成该靶的步骤采用粉碎的该合金锭和粉碎的该第二合金锭进行。6.根据权利要求5所述的靶的制造方法，其中该第二合金锭的熔点高于该至少一种硫族元素的熔点。7.根据权利要求5所述的靶的制造方法，其中采用选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素作为不是硫族元素的该至少一种附加元素来形成该第二合金锭。8.一种包括多个存储元件的存储器，该存储元件包括离子化层，该离子化层采用靶形成且包含要被离子化的元素，该靶包含选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素、选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg和Ga组成的组的至少一种元素以及选自S、Se和Te的至少一种硫族元素。9.一种包括多个存储元件的存储器的制造方法，包括如下步骤：采用选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素组成的组的至少一种高熔点金属元素和该组之外的附加元素形成合金锭；粉碎该合金锭；采用粉碎的该合金锭和选自由S、Se和Te组成的组的至少一种硫族元素形成靶；以及通过采用该靶的溅射形成该存储元件的离子化层，该离子化层包含要被离子化的元素。2CN101985733A说明书1/10页靶及其制造方法、存储器及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及包含高熔点金属元素和硫族元素的靶及其制造方法。本发明还涉及包括采用靶形成的离子化层的存储元件的存储器及其制造方法。背景技术[0002]高速度、高密度DRAM已经广泛地用作诸如计算机的信息处理设备中的随机存取存储器。[0003]然而，DRAM是挥发性存储器，在电源关闭时丢失其内容，并且写入的信息(数据)必须频繁刷新，即该数据需要频繁读出、再放大和再写入。[0004]例如，已经提出了电源关闭时不丢失其内容的非挥发存储器、闪存、FeRAM(铁电体随机存取存储器)和MRAM(磁存储元件)等。[0005]这些存储器在没有电源的情况下能够长时间地保持写入的信息。[0006]此外，因为这些存储器是非挥发的，所以它们不需要刷新，并且可以相应地减少功率消耗。[0007]因此，上述各种非挥发存储器已经进行了广泛地研究和商业开发。[0008]然而，这样的非挥发存储器既有优点也有缺点。[0009]闪存具有高集成度，但具有操作速度方面的不利。[0010]FeRAM具有用于高度集成的微处理方面的限制，并