非易失性存储器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109473437A(43)申请公布日2019.03.15(21)申请号201811024862.2(22)申请日2018.09.04(30)优先权数据10-2017-01153842017.09.08KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人严太镕任智芸朴柄善林炫锡姜有善权赫镐朴星津徐枝延河东协(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人张波(51)Int.Cl.H01L27/11556(2017.01)H01L27/11582(2017.01)权利要求书2页说明书12页附图24页(54)发明名称非易失性存储器件及其制造方法(57)摘要提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。CN109473437ACN109473437A权利要求书1/2页1.一种非易失性存储器件，包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；和垂直沟道结构，延伸穿过所述堆叠结构，其中所述多个导电膜包括所述多个导电膜当中的最靠近所述衬底的选择线，其中所述选择线包括顺序堆叠在所述衬底上的下部和上部，并且其中所述选择线的所述上部的一侧和所述选择线的所述下部的一侧具有不同的轮廓。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括：电介质膜，在所述堆叠结构的侧壁上；在所述电介质膜上的沟道膜，所述沟道膜在其中限定空间；和在所述沟道膜上的填充膜，所述填充膜填充由所述沟道膜限定的所述空间。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中所述填充膜在所述衬底的上表面上延伸。4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述选择线直接接触所述沟道膜。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述选择线的所述下部的所述一侧相对于所述衬底的上表面具有第一角度，并且所述选择线的所述上部的所述一侧相对于所述衬底的所述上表面具有第二角度，并且其中所述第一角度大于所述第二角度。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括：接触所述选择线的所述下部的第一凹陷，和接触所述选择线的所述上部的第二凹陷，并且其中所述第一凹陷的第一深度不同于所述第二凹陷的第二深度。7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述选择线的所述下部填充所述第一凹陷，并且所述选择线的所述上部填充所述第二凹陷。8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述第一凹陷的所述第一深度大于所述第二凹陷的所述第二深度。9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括在所述第一凹陷与所述第二凹陷之间的突起。10.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述选择线包括在所述选择线的所述上部和所述下部之间的凹入部分。11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构的下表面直接接触所述衬底的上表面。12.一种制造非易失性存储器件的方法，该方法包括：在衬底上依次形成下绝缘膜和蚀刻停止膜；在所述蚀刻停止膜上形成模结构，所述模结构包括以交替的顺序堆叠的多个牺牲膜和多个层间绝缘膜；形成延伸穿过所述模结构的沟槽以暴露所述蚀刻停止膜；依次蚀刻所述蚀刻停止膜和所述下绝缘膜以形成沟道孔，所述沟道孔暴露所述衬底的上表面；在所述沟道孔中形成沟道结构；2CN109473437A权利要求书2/2页同时去除所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜以形成多个开口；以及在所述多个开口中分别形成多个导电膜。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻停止膜相对于所述多个牺牲膜具有蚀刻选择性。14.根据权利要求12所述的方法，其中同时去除所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜包括：在所述沟道结构的下部中形成第一凹陷，以及在所述第一凹陷上形成第二凹陷。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一凹陷的第一深度大于所述第二凹陷的第二深度。16.根据权利要求12所述的方法，其中同时去除所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜包括使用磷酸、硫酸和/或盐酸来蚀刻所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述多个牺牲膜相对于所述蚀刻停止膜具有蚀刻选择性。18.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个导电膜包括在所述多个导电膜当中的最靠近所述下绝缘膜的选择线。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述多个牺牲膜中的最下面的一个直接接触所述蚀刻停止膜的上表面。