存储器结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110660808A(43)申请公布日2020.01.07(21)申请号201810688042.7(22)申请日2018.06.28(71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号(72)发明人刘涛张松梁志彬金炎王德进(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人王宁(51)Int.Cl.H01L27/11531(2017.01)权利要求书2页说明书4页附图4页(54)发明名称存储器结构及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构的高压器件区包括衬底和衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括高压区浮栅、覆盖所述高压区浮栅的高压区多晶硅栅、以及设于所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅之间的绝缘层，所述高压区浮栅顶部至少部分区域不设置所述绝缘层，从而使得所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅在不设置绝缘层的位置连通，所述高压器件区还包括位于衬底内、所述高压区浮栅下方两侧的轻掺杂漏极。本发明在高压器件区保留高压区浮栅结构，通过在高压区浮栅上叠加高压区多晶硅栅，增加了阻挡LDD注入的多晶硅的厚度，防止LDD注入穿透多晶硅打进导电沟道里。CN110660808ACN110660808A权利要求书1/2页1.一种存储器结构的制造方法，所述存储器结构包括逻辑区和高压器件区，其特征在于，所述方法包括：步骤A，获取在衬底上形成有第一多晶硅层的晶圆；步骤B，在所述高压器件区形成位于所述第一多晶硅层上的第一刻蚀阻挡结构；步骤C，刻蚀所述第一多晶硅层，从而在所述第一刻蚀阻挡结构的保护下形成高压区浮栅；步骤D，光刻并刻蚀所述第一刻蚀阻挡结构，使所述高压区浮栅的顶部至少部分露出；步骤E，在所述衬底、高压区浮栅及第一刻蚀阻挡结构上形成第二多晶硅层；步骤F，光刻并刻蚀所述第二多晶硅层，形成高压区多晶硅栅及逻辑区多晶硅栅，所述高压区多晶硅栅覆盖所述高压区浮栅的两侧和顶面，所述高压区多晶硅栅通过与所述高压区浮栅连通从而获得与高压区浮栅相同的电位；对所述高压器件区进行轻掺杂漏极注入。2.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述步骤C和步骤D之间还包括在所述衬底、高压区浮栅及第一刻蚀阻挡结构上形成绝缘层的步骤，所述步骤D刻蚀第一刻蚀阻挡结构时相应位置的绝缘层被一并刻蚀去除。3.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述步骤A和步骤B之间还包括步骤：在所述第一多晶硅层上形成硬掩膜；光刻并刻蚀所述硬掩膜，将需要形成所述第一刻蚀阻挡结构的位置处的硬掩膜去除。4.根据权利要求3所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述步骤B是在去除了硬掩膜的位置形成硅氧化物作为所述第一刻蚀阻挡结构，然后去除剩余的硬掩膜。5.根据权利要求3或4所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜的材质为氮化硅。6.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述步骤A获取的晶圆在所述衬底和第一多晶硅层之间还形成有栅氧化层。7.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述存储器结构还包括细胞区，所述步骤B还包括在所述细胞区形成位于所述第一多晶硅层上的第二刻蚀阻挡结构，所述步骤C刻蚀后会在所述第二刻蚀阻挡结构的保护下形成细胞区浮栅，所述步骤F刻蚀后会形成细胞区多晶硅栅，所述细胞区多晶硅栅一端搭在所述第二刻蚀阻挡结构上。8.一种存储器结构，包括高压器件区，所述高压器件区包括衬底和衬底上的栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括高压区浮栅、覆盖所述高压区浮栅的高压区多晶硅栅、以及设于所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅之间的绝缘层，所述高压区浮栅顶部至少部分区域不设置所述绝缘层，从而使得所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅在不设置绝缘层的位置连通，所述高压器件区还包括位于衬底内、所述高压区浮栅下方两侧的轻掺杂漏极。9.根据权利要求8所述的存储器结构，其特征在于，所述高压器件区还包括第一刻蚀阻挡结构，所述第一刻蚀阻挡结构设于所述高压区浮栅和所述高压区浮栅顶部的绝缘层之间，所述高压区多晶硅栅在未设有所述第一刻蚀阻挡结构的位置与所述高压区浮栅连通。10.根据权利要求8所述的存储器结构，其特征在于，还包括逻辑区和细胞区，所述逻辑区包括逻辑区多晶硅栅，所述细胞区包括细胞区浮栅、细胞区多晶硅栅及细胞区浮栅上的2CN110660808A权利要求书2/2页第二刻蚀阻挡结构，所述细胞区多晶硅栅一端搭在所述第二刻蚀阻挡结构上。3CN110660808A说明书1/4页存储器结构及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件的制造，特别是涉及一种存储器结构，还涉及一种存储器结构的制造方法。背景技术[0002]在S