存储器装置及其制造方法和操作方法.pdf

本发明公开了一种具有具非矩形横截面存储器装置及其制造方法和操作方法。非矩形横截面可为反T型、梯形形状或双反T型。公开了一种用于生产归因于浮置栅极的增加的表面积而具有改良耦合比率的浮置栅极存储器装置的方法。存储器装置具有具诸如反T型的横截面形状的浮置栅极，以使得顶部轮廓不为平直线段。

2023-10-22

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存储器装置及其操作方法.pdf

本发明实施例揭露一种存储器装置，包括一存储器阵列、一逻辑电路、一感测放大器电路及一读取缓冲器。逻辑电路用以响应于一读取指令及一初始地址，执行一读取操作。于读取操作时，逻辑电路依据初始地址于存储器阵列中找到一目标数据。感测放大器电路用以于读取操作时，从存储器阵列中读出目标数据。读取缓冲器用以于读取操作时，缓存并输出目标数据。当一中断事件发生于读取操作期间，读取缓冲器保留读取缓冲器的一缓存内容，且逻辑电路记录一读取状态。

2023-11-15

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存储器装置及其操作方法.pdf

本申请公开了存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种包括多个存储器单元的存储器装置。该存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作。该存储器装置另外包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环

2023-07-24

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存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器.pdf

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。此方法包括通过使用错误校正码ECC而校正存储器装置上的数据，并产生存储器装置上的ECC信息，ECC信息关于错误校正码ECC的使用。此方法因应于从存储器装置外部的一过程而在一输入端口上被接收的一命令，在装置的一输出端口上提供ECC信息。本发明亦提供一种存储器装置的控制方法。此方法包括传送一命令至请求对应于存储器装置中的数据的ECC信息的存储器装置，并因应于此命令接收来自存

2023-06-11

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存储器装置及其制造方法.pdf

本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良

2023-11-10

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