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基片处理方法和基片处理装置.pdf
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雨巷****轶丽
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本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中，与处理前的基片表面的接触角的大小无关地，能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包括：对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面，供给水溶性聚合物的溶液的工序；用供给的水溶性聚合物的溶液，使抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；在亲水化的工序后，一边使基片旋转，一边对基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和使被供给
2023-11-09
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本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
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本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。基于时间参数、构成多单元的单元的所需基片停留时间和循环时间，决定多单元中的作为基片的输送目标的单元的个数，以及决定停留循环数，其中，时间参数是，与为了将送入处理区块的基片输送到送出单元所需的主输送装置的输送工序数对应的基片的输送时间、或者通过用包括多单元并且以能够对基片进行多个步骤的处理的方式设置于处理区块的单元组之中的、相同步骤中的可使用单元数除所需基片停留时间而对于各步骤得到的时间中的最大时间。本发明在将单元的所需停留时间彼此不同的多个批次的基片依次输送并进行处理
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本发明说明基片处理装置和基片处理方法，其在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。基片处理装置包括：将种类不同的多个处理液分别供给到基片的表面的液处理部；和将从液处理部排出的排气排出到外部的排气部。排气部包括：包含第一部分和第二部分的主排气管；第一独立排气管；第二独立排气管；切换部；以及外气导入部。切换部包括：第一切换机构；第二切换机构；配置于主排气管中的第一部分与第二部分之间的第三切换机构；与第二部分连接以将外气导入第二部分的外
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