基片处理方法和基片处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112802737A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号202011214947.4(22)申请日2020.11.04(30)优先权数据2019-2054152019.11.13JP2020-1528252020.09.11JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人熊谷圭惠久松亨本田昌伸(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322代理人龙淳刘芃茜(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)H01L21/3065(2006.01)H01J37/32(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图19页(54)发明名称基片处理方法和基片处理装置(57)摘要本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。CN112802737ACN112802737A权利要求书1/2页1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使所述第一反应种吸附在所述基片的正面的工序；b)在所述腔室内，将所述基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在所述基片的正面形成膜的工序；和c)将包含所述a)和所述b)的处理以改变所述b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在所述a)中，通过控制导入到所述腔室内的所述第一反应种的量，来改变所述b)开始时的所述第一反应种的滞留量。3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：在所述a)中，通过控制导入到所述腔室内的所述第一反应种的稀释度，来改变所述b)开始时的所述第一反应种的滞留量。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述a)包括：a1)将所述第一反应种导入到所述腔室内的工序；和a2)从所述腔室清除所述第一反应种的至少一部分的工序。5.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：通过控制在所述a2)中清除的所述第一反应种的量，来改变所述b)开始时的所述第一反应种的滞留量。6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：通过改变所述腔室内的压力、处理时间、清除气体的流量中的至少一者使在所述a2)中清除的所述第一反应种的量变化，来改变所述b)开始时的所述第一反应种的滞留量。7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述基片的正面的反应饱和之前，结束所述a)或所述b)。8.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：控制所述b)开始时的第一反应种的滞留量，使得在所述图案的上部形成的膜的厚度比在所述图案的下部形成的膜的厚度厚。9.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：控制所述b)开始时的第一反应种的滞留量，使得在所述图案的上部形成的膜的厚度接近在所述图案的下部形成的膜的厚度。10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：还包括d)将通过所述c)形成的膜作为掩模对所述基片进行蚀刻的工序。11.如权利要求10所述的基片处理方法，其特征在于：还包括e)将包含所述c)和所述d)的处理反复执行两次以上的工序。12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：在执行所述a)之前测量表示所述基片的正面的所述图案的形状的值的工序；和基于测量出的值选择处理条件的工序，在所选择的所述处理条件下执行所述a)、所述b)和所述c)。2CN112802737A权利要求书2/2页13.如权利要求12所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：在将所述c)执行了规定次数后，测量表示所述基片的正面的所述图案的形状的值的工序；和基于执行所述a)之前测量出的值与将所述c)执行了规定次数后测量出的值之差，选择接下来要执行的处理的处理条件的工序。14.一种基片处理方法，其特征在于，包括：f)测量表示所述基片的正面的所述图案的形状的值的工序；g)将所述值与预定的第一阈值和大于所述第一阈值的第二阈值进行比较的工序；h)基于所述比较的结果选择成膜处理的工序；和i)通过所述选择的成膜处理在所述基片的正面形成膜的工序，在所述h)中，当所述值为所述第一阈值以下时，选择CVD(化学气相沉积)作为所述成膜处理，当所述值大于所述第一阈值且小于所述第二阈值时，选择权利要