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基片处理装置和基片处理方法.pdf
2023-06-11
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慧娇****文章
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本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。基于时间参数、构成多单元的单元的所需基片停留时间和循环时间，决定多单元中的作为基片的输送目标的单元的个数，以及决定停留循环数，其中，时间参数是，与为了将送入处理区块的基片输送到送出单元所需的主输送装置的输送工序数对应的基片的输送时间、或者通过用包括多单元并且以能够对基片进行多个步骤的处理的方式设置于处理区块的单元组之中的、相同步骤中的可使用单元数除所需基片停留时间而对于各步骤得到的时间中的最大时间。本发明在将单元的所需停留时间彼此不同的多个批次的基片依次输送并进行处理
2023-11-13
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本发明提供能够使存在于处理后的基片的表面的杂质减少的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括具有用于送出送入基片的开口的处理容器；封闭开口的可动的盖体；使盖体在封闭开口的封闭位置与开放开口的开放位置之间移动的盖体移动机构；在处理容器内正面朝上地水平保持基片的基片保持部；流体供给机构，其能够向处理容器供给超临界状态的处理流体和由与超临界状态的处理流体相同的物质构成的气体状态的流体，包括至少一个供给管线和流动控制装置；和控制部，其控制流体供给机构，以使得在基片保持部保持基片且盖体处于封闭位置时向处理容器供
2023-06-11
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本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
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本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置在比多个基片靠下方的位置,向贮存在处理槽中的处理液释放气体。第2气体喷嘴组靠近第1气体喷嘴组地配置,向贮存在处理槽中的处理液释放气体。控制部控制各部。控制部在多个基片被浸渍在处理液中而被处理时,从第1气体喷嘴组和第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向处理液释放气体。控制部在检测
2023-05-23
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本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括:作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21),其中,该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液;和气体供给部(40),其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部,供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。
2023-05-09
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