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基片处理装置和基片处理方法.pdf
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基片处理方法和基片处理装置.pdf
本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中，与处理前的基片表面的接触角的大小无关地，能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包括：对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面，供给水溶性聚合物的溶液的工序；用供给的水溶性聚合物的溶液，使抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；在亲水化的工序后，一边使基片旋转，一边对基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和使被供给
2023-11-09
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基片处理方法和基片处理装置.pdf
本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
2023-11-09
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基片处理装置和基片处理方法.pdf
本发明提供能够使存在于处理后的基片的表面的杂质减少的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括具有用于送出送入基片的开口的处理容器；封闭开口的可动的盖体；使盖体在封闭开口的封闭位置与开放开口的开放位置之间移动的盖体移动机构；在处理容器内正面朝上地水平保持基片的基片保持部；流体供给机构，其能够向处理容器供给超临界状态的处理流体和由与超临界状态的处理流体相同的物质构成的气体状态的流体，包括至少一个供给管线和流动控制装置；和控制部，其控制流体供给机构，以使得在基片保持部保持基片且盖体处于封闭位置时向处理容器供
2023-06-11
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基片处理装置和基片处理方法.pdf
本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括:作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21),其中,该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液;和气体供给部(40),其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部,供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。
2023-05-09
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本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。基于时间参数、构成多单元的单元的所需基片停留时间和循环时间，决定多单元中的作为基片的输送目标的单元的个数，以及决定停留循环数，其中，时间参数是，与为了将送入处理区块的基片输送到送出单元所需的主输送装置的输送工序数对应的基片的输送时间、或者通过用包括多单元并且以能够对基片进行多个步骤的处理的方式设置于处理区块的单元组之中的、相同步骤中的可使用单元数除所需基片停留时间而对于各步骤得到的时间中的最大时间。本发明在将单元的所需停留时间彼此不同的多个批次的基片依次输送并进行处理
2023-11-13
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