掩膜版.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112799279A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号202110059742.1(22)申请日2021.01.18(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人谭锦丹孙畅张翩(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449代理人马陆娟(51)Int.Cl.G03F1/76(2012.01)G03F9/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图9页(54)发明名称掩膜版(57)摘要本申请公开了一种掩膜版，包括：中心图案区，包括器件结构的光刻图案；第一图案区，包括第一划片道的光刻图案；以及第二图案区，包括第二划片道的光刻图案，其中，第一图案区与第二图案区分别位于中心图案区的两侧且沿平行方向延伸，第二图案区的光刻图案沿第一设定方向的位移图案与第二图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，第一设定方向与第一图案区的延伸方向垂直。由于第二图案区的光刻图案沿第一设定方向的位移图案与第二图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，防止了前一次光刻步骤经第一图案区形成的光刻图案在后一次光刻步骤中被照射，从而将经第一图案区形成的光刻图案保留在晶圆上。CN112799279ACN112799279A权利要求书1/2页1.一种掩膜版，包括：中心图案区，包括器件结构的光刻图案；第一图案区，包括第一划片道的光刻图案；以及第二图案区，包括第二划片道的光刻图案，其中，所述第一图案区与所述第二图案区分别位于所述中心图案区的两侧且沿平行方向延伸，所述第二图案区的光刻图案沿第一设定方向的位移图案与所述第一图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，所述第一设定方向与所述第一图案区的延伸方向垂直。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述第二图案区不透光。3.根据权利要求1所述的掩膜版，还包括：第三图案区，包括第三划片道的光刻图案；以及第四图案区，包括第四划片道的光刻图案，其中，所述第三图案区与所述第四图案区分别位于所述中心图案区的两侧且沿平行方向延伸，所述第一图案区与所述第三图案区的延伸方向相互垂直，所述第四图案区的光刻图案沿第二设定方向的位移图案与所述第三图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，所述第二设定方向与所述第三图案区的延伸方向垂直。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其中，所述第四图案区不透光。5.根据权利要求3所述的掩膜版，其中，所述第一划片道的光刻图案与所述第三划片道的光刻图案包括辅助结构的光刻图案，所述辅助结构的光刻图案用于形成晶圆测试结构和/或晶圆的套刻标记。6.根据权利要求1‑5任一项所述的掩膜版，其中，所述中心图案区还包括间隔部分，所述器件结构的光刻图案为多个，多个所述器件结构的光刻图案被所述间隔部分隔开。7.根据权利要求1‑5任一项所述的掩膜版，还包括不透光的边框区，以使所述掩膜版上的图案集合被所述边框区封闭式地包围。8.根据权利要求3所述的掩膜版，其中，所述第一图案区还包括第一定位图案区，所述第二图案区还包括第二定位图案区，所述第一定位图案区与所述第二定位图案区均透光、且形状和尺寸均一致，所述第一图案区与所述第二图案区的形状和尺寸均一致，所述第一定位图案区在所述第一图案区中所处的位置与所述第二定位图案区在所述第二图案区中所处的位置相同。9.根据权利要求8所述的掩膜版，其中，所述第一图案区具有与所述第三图案区重合的第一重合部，还具有与所述第四图案区重合的第二重合部，所述第二图案区具有与所述第三图案区重合的第三重合部，还具有与所述第四图案区重合的第四重合部，其中，所述第一定位图案区的数量为两个，分别位于所述第一重合部与所述第二重合部的中央，所述第二定位图案区的数量为两个，分别位于所述第三重合部与所述第四重合部的中央。2CN112799279A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的掩膜版，其中，所述第一重合部、所述第二重合部、所述第三重合部以及所述第四重合部为正方形且尺寸一致，所述第一重合部中除所述第一定位图案区外的区域沿所述第一重合部相互垂直的两条中线被分为四个辅助区，与所述中心图案区相邻的所述辅助区透光，其余所述辅助区不透光，所述第一重合部与所述第二重合部构成的图案为轴对称图案，所述第一重合部与所述第三重合部构成的图案为轴对称图案，所述第一重合部与所述第四重合部构成的图案为中心对称图案。3CN112799279A说明书1/6页掩膜版技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及掩膜版。背景技术[0002]掩膜版(Mask)是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。[