一种Micro-LED芯片的巨量转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113471339A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202111025739.4(22)申请日2021.09.02(71)申请人罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司地址226000江苏省南通市经济技术开发区星湖大道1692号21（22）幢14100室(72)发明人罗雪方陈文娟罗子杰(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种Micro-LED芯片的巨量转移方法(57)摘要本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法。在每个Micro‑LED芯片的第一、第二侧面分别形成多个第一、第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于外围辅助区域中，并且对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽，进而可以增大第二暂态基板上的第二粘结层与Micro‑LED芯片的接触面积，进而可以提高Micro‑LED芯片在转移过程中的稳定性，且由于在功能核心区域的外侧形成第一、第二辅助部，而不是完全保留外围辅助区域，则是为了方便转移完成后的去除该第一、第二辅助部。上述转移方法可以确保巨量转移的精度和良率。CN113471339ACN113471339A权利要求书1/2页1.一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤（1）：提供第一半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的Micro‑LED芯片，每个所述Micro‑LED芯片具备功能核心区域和外围辅助区域，所述外围辅助区域包围所述功能核心区域；步骤（2）：提供第一暂态基板，在所述第一暂态基板上设置第一粘合层，进而将所述第一半导体晶圆设置在所述第一粘合层上，所述功能核心区域的有源功能面朝向所述第一粘合层；步骤（3）：接着对所述第一半导体晶圆进行刻蚀处理，以在每个所述Micro‑LED芯片的第一侧面形成多个第一辅助部，并在与所述第一侧面相对设置的第二侧面形成多个第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于所述外围辅助区域中，且多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部分别一一对应；步骤（4）：接着对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽；步骤（5）：接着对所述第一半导体晶圆进行切割处理，以形成多个分立的Micro‑LED芯片，每个所述Micro‑LED芯片均具有相对设置的多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部，相邻所述第一辅助部之间具有一第一间隙，且相邻所述第二辅助部之间具有一第二间隙；步骤（6）：接着提供第二暂态基板，在所述第二暂态基板上设置第二粘结层，将所述第一半导体晶圆中的多个所述Micro‑LED芯片通过所述第二粘结层粘结至所述第二暂态基板，所述第二粘结层粘结每个所述Micro‑LED芯片的多个所述第一、第二辅助部且所述第二粘结层的一部分嵌入到所述第一凹槽中；步骤（7）：接着提供一目标基板，所述目标基板上设置多个Micro‑LED芯片安装区，接着在每个所述Micro‑LED芯片安装区上设置对应所述第一间隙的第一凸起以及设置对应所述第二间隙的第二凸起；步骤（8）接着将所述第二暂态基板上的Micro‑LED芯片选择性转移至所述目标基板，在选择性转移的过程中，使得所述第一、第二凸起分别嵌入到所述第一、第二间隙中，进而将选择性转移的Micro‑LED芯片与所述第二暂态基板分离；步骤（9）接着对已转移的Micro‑LED芯片进行切割处理以全部去除所述Micro‑LED芯片的所述第一、第二侧面的多个第一、第二辅助部，接着对已转移的Micro‑LED芯片进行平坦化处理以消除所述第一凹槽，且使得所述Micro‑LED芯片的非有源功能面为平坦表面。2.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，每个所述Micro‑LED芯片均包括衬底以及设置在所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层。3.根据权利要求2所述的Micro‑LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，所述功能核心区域具有所述衬底、所述N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层，而所述外围辅助区域仅具有所述衬底。4.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，在形成多个所述第一、第二辅助部的同时，在每个所述Micro‑LED芯片中与所述第一侧面相邻的第三侧面和第四侧面分别形成多个第三辅助部和多个第四辅助部。2CN113471339A权利要求书2/2页5.根据权利要求3所述的Micro‑LED芯片的