Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdf
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Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdf
本申请实施例提供一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体,巨量转移方法包括:制备具有网孔的金属膜层;涂布第一胶材至金属膜层,并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔;在金属膜层的一侧涂布第二胶材,第二胶材与网孔内的第一胶材连接,以得到转移载体;将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至转移载体,并使Micro‑LED芯片对应网孔内的第一胶材设置;将转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。本申请实施例可以增加转移载体的刚度,使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲,进而可以避免现有的过渡膜层
MicroLED巨量转移芯片定位及飞行观测的系统及观测方法.pdf
本发明属于微器件组装相关技术领域,其公开了一种MicroLED巨量转移芯片定位及飞行观测的系统及观测方法,系统包括:双目视觉组件,包括第一单目视觉通道和第二单目视觉通道,第一单目视觉通道包括高倍镜头和高分辨率相机;第二单目视觉通道采用低倍镜头和低分辨率相机,双目视觉组件的镜头采集区域为芯片的飞行观测区;激励,用于触发芯片的掉落转移过程;数字延迟脉冲发生器,包括多个通道,每个通道的触发时间和延迟时间单独控制,激励、第一单目视觉单元以及第二单目视觉单元分别与一通道连接,设置不同延迟触发信号实现芯片掉落时态精准
一种巨量转移装置及巨量转移方法.pdf
本发明提供一种巨量转移装置及巨量转移方法,该装置包括:第一承载台;承载目标基板的第二承载台,与第一承载台相对且平行设置;设置于第一承载台和第二承载台之间的辊轮,辊轮的转动轴与第一承载台的承载面平行设置,辊轮的外周面上、沿周向间隔设置有多组拾取单元,每组拾取单元包括沿辊轮的轴向间隔排列的多个拾取点,同组拾取单元中相邻两个拾取点在所述辊轮的轴向方向上的间距大于第一承载台上微元件之间的间距;第一承载台相对辊轮在第一方向上平移,第一方向为辊轮的外周面与第一承载面接触点处辊轮的旋转切线方向;第二承载台相对辊轮在第一
一种LED芯片巨量转移方法.pdf
本发明涉及一种LED芯片巨量转移方法。包括转接板,所述转接板上开设有调节槽,所述调节槽内设置有调节板;模型块,以及压重结构;将模型块置于调节板上,用压重结构压在模型块上,各个模型块的顶面平齐,固定调节板在调节槽中的位置;将芯片置于调节板上,将芯片与焊盘焊接固定。本发明通过调节板和调节槽的设置,利用模型块代替芯片承受压重结构的压力,最终芯片置于调节板上时,所有芯片顶面平齐,无需再次调节其高度,通过预设的方式制备出可反复使用的转接板,每次转移时无需再次压迫芯片,对芯片的保护效果更好,同时芯片在调节板上的位置更
巨量转移-激光转移及激光对AlGaInP芯片影响的研究.docx
巨量转移-激光转移及激光对AlGaInP芯片影响的研究摘要本文以AlGaInP(铝镓铟磷化物)为研究对象,结合巨量转移概念和激光转移技术,对AlGaInP芯片的转移及激光对其影响进行研究。通过实验分析,证明了激光转移技术具有高效、精准、可控的特点,在AlGaInP芯片转移中具有重要的应用价值。此外,针对激光对芯片的影响和损伤机制进行了分析和研究,为今后开展相关工作提供了参考和依据。关键词:巨量转移;激光转移;AlGaInP芯片;损伤机制一、引言随着半导体技术的迅猛发展,高品质、高性能的光电器件需求日益增加