Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114220828A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111523172.3(22)申请日2021.12.13(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人赵斌肖军城刘俊领(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人王芳芳(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体(57)摘要本申请实施例提供一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体，巨量转移方法包括：制备具有网孔的金属膜层；涂布第一胶材至金属膜层，并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔；在金属膜层的一侧涂布第二胶材，第二胶材与网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体；将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至转移载体，并使Micro‑LED芯片对应网孔内的第一胶材设置；将转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。本申请实施例可以增加转移载体的刚度，使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移，从而增大Micro‑LED芯片的转移精度和效率。CN114220828ACN114220828A权利要求书1/2页1.一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：制备具有网孔的金属膜层；涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔；在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体；将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro‑LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置；将所述转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板，包括：移动所述转移载体并带动所述Micro‑LED芯片对准所述目标基板；对所述第二胶材背离所述第一胶材的一侧照射激光，以使所述第二胶材受到所述激光照射后带动所述第一胶材与所述Micro‑LED芯片分离，并使所述Micro‑LED芯片落在所述目标基板上。3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔之后，包括：固化所述第一胶材以使所述第一胶材的粘度为第一粘度。4.根据权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体之后，包括：固化所述第二胶材以使所述第二胶材的粘度为第二粘度，所述第二粘度小于所述第一粘度。5.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述制备具有网孔的金属膜层，包括：提供基板；在所述基板上沉积一层金属膜层；刻蚀所述金属膜层以得到具有网孔的金属膜层；将具有网孔的所述金属膜层从所述基板上剥离。6.根据权利要求1至5任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体，还包括：所述金属膜层、所述第一胶材和所述第二胶材粘合形成中转载体；切割所述中转载体以得到预设尺寸的所述转移载体。7.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro‑LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置，包括：移动所述晶圆并带动所述Micro‑LED芯片对准所述网孔内的第一胶材；转移对准后的Micro‑LED芯片至所述转移载体。8.一种Micro‑LED芯片的巨量转移载体，其特征在于，包括：金属膜层，所述金属膜层设置有网孔；2CN114220828A权利要求书2/2页第一胶材，至少部分所述第一胶材填充于所述网孔；第二胶材，设置于所述金属膜层的一侧，且与所述网孔内的第一胶材连接。9.根据权利要求8所述的巨量转移载体，其特征在于，所述第一胶材和所述第二胶材均为聚酰亚胺材料，和/或所述第一胶材的第一粘度大于所述第二胶材的第二粘度。10.根据权利要求8或9所述的巨量转移载体，其特征在于，所述第一胶材和所述第二胶材的厚度范围均为0.5mm至3mm。3CN114220828A说明书1/7页Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体技术领域[0001]本申请属于Micro‑LED技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片的巨量