一种LED芯片巨量转移方法.pdf
St****12
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一种LED芯片巨量转移方法.pdf
本发明涉及一种LED芯片巨量转移方法。包括转接板,所述转接板上开设有调节槽,所述调节槽内设置有调节板;模型块,以及压重结构;将模型块置于调节板上,用压重结构压在模型块上,各个模型块的顶面平齐,固定调节板在调节槽中的位置;将芯片置于调节板上,将芯片与焊盘焊接固定。本发明通过调节板和调节槽的设置,利用模型块代替芯片承受压重结构的压力,最终芯片置于调节板上时,所有芯片顶面平齐,无需再次调节其高度,通过预设的方式制备出可反复使用的转接板,每次转移时无需再次压迫芯片,对芯片的保护效果更好,同时芯片在调节板上的位置更
Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdf
本申请实施例提供一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体,巨量转移方法包括:制备具有网孔的金属膜层;涂布第一胶材至金属膜层,并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔;在金属膜层的一侧涂布第二胶材,第二胶材与网孔内的第一胶材连接,以得到转移载体;将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至转移载体,并使Micro‑LED芯片对应网孔内的第一胶材设置;将转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。本申请实施例可以增加转移载体的刚度,使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲,进而可以避免现有的过渡膜层
一种Micro-LED芯片的巨量转移方法.pdf
本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法。在每个Micro‑LED芯片的第一、第二侧面分别形成多个第一、第二辅助部,多个所述第一、第二辅助部均位于外围辅助区域中,并且对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理,以形成多个相互分离的第一凹槽,进而可以增大第二暂态基板上的第二粘结层与Micro‑LED芯片的接触面积,进而可以提高Micro‑LED芯片在转移过程中的稳定性,且由于在功能核心区域的外侧形成第一、第二辅助部,而不是完全保留外围辅助区域,则是为了方便转移完成后的
一种μLED巨量转移方法.pdf
本发明涉及一种µLED巨量转移方法,首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上,然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域,即筛选欲转移的µLED芯片位置,有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离,转移到驱动背板,没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板,等待下一次的转移,从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
LED芯片的巨量转移方法、显示面板和显示装置.pdf
本申请涉及一种LED芯片的巨量转移方法,所述巨量转移方法包括:制备转移模板,所述转移模板的一侧表面凸设有多个微结构;在所述转移模板的一侧制备多个LED磊晶,每个所述微结构的相对两侧具有所述LED磊晶;在多个所述LED磊晶上分别制备LED芯片;激光剥离所述转移模板上的所述LED芯片至显示背板。所述巨量转移方法解决了由于LED芯片的巨量转移效率受限于光掩膜板导致LED芯片的整体转移效率较低的问题。本申请还提供了一种显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。