半导体封装装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113506669A(43)申请公布日2021.10.15(21)申请号202110632516.8(22)申请日2021.06.07(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号(72)发明人陈佾捷张育勋张皇贤(74)专利代理机构北京植德律师事务所11780代理人唐华东(51)Int.Cl.H01F17/00(2006.01)H01F27/24(2006.01)H01F27/28(2006.01)H01F41/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图7页(54)发明名称半导体封装装置及其制造方法(57)摘要本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基材，基材上设置有沟槽，沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于沟槽的开口的上方；第一磁性材、第一金属材和第二磁性材共同形成电感结构。该半导体封装装置可形成沟槽式的电感结构，能够有效减小电感结构的厚度并使基材表面平坦，进而减小电子设备的整体尺寸。此外，该半导体封装装置无需借助剥离制程形成，能够避免剥离制程产生的气体污染或者金属残留等问题，有利于提高产品良率。CN113506669ACN113506669A权利要求书1/1页1.一种半导体封装装置，包括：基材，所述基材上设置有沟槽，所述沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于所述沟槽的开口的上方；所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一绝缘材，位于所述第一磁性材和所述第一金属材之间。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第二绝缘材，覆盖所述沟槽的开口并至少部分包覆所述第二磁性材。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第三绝缘材，位于所述第一磁性材的外表面与所述凹槽的内表面之间。5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材的上表面和所述第二绝缘材的上表面共面，所述第二磁性材的上表面暴露在外。6.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材和所述第一金属材之间存在间隔，所述间隔被所述第二绝缘材填充。7.一种半导体封装装置的制造方法，包括：在基材上形成沟槽；在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材；在所述沟槽上方形成第二绝缘材；在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，其中，所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材，包括：在所述沟槽内形成所述第三绝缘材；在所述第三绝缘材的表面形成所述第一磁性材；在所述第一磁性材的表面形成所述第一绝缘材；在所述第一绝缘材的表面形成所述第一金属材。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述在所述沟槽上方形成第二绝缘材，包括：通过抛光使所述基材、所述第三绝缘材、所述第一磁性材、所述第一绝缘材和所述第一金属材的上表面平齐；在抛光后的所述上表面形成所述第二绝缘材。10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，包括：在所述第二绝缘材的表面形成开孔；在所述开孔内形成所述第一磁性材；通过抛光减小所述第二绝缘材的厚度，只保留位于所述开孔底部的所述第一磁性材。2CN113506669A说明书1/5页半导体封装装置及其制造方法技术领域[0001]本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。背景技术[0002]由于单芯片电感器(on‑chipinductor)的结构特殊，为避免使用蚀刻制程对此结构造成不必要的损伤而影响整体的良率，需要借助剥离(Lift‑off)制程形成需求的结构。[0003]剥离(Lift‑off)制程即是在光刻制程后将金属蒸镀上去，再将牺牲层溶解以剥离其他区域的金属附着，从而形成需求的金属图案。剥离制程能够有效应用在无法采用蚀刻制程的场景中。然而在剥离制程中，牺牲层(例如光阻)进入真空设备后容易在形成金属层时产生气体污染(outgasing)，从而影响金属与基材的接合效果。此外，如果牺牲层的的开口角度不足，其将无法被有效去除，进而导致其表面的金属层残留，造成产品损失(产品损失率例如大于20％)。[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。发明内容[0005]本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：[0007]基材，所述基