半导体封装装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113725105A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202110973883.4(22)申请日2021.08.24(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号(72)发明人林咏胜高金利洪志斌(74)专利代理机构北京植德律师事务所11780代理人唐华东(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图19页(54)发明名称半导体封装装置及其制造方法(57)摘要本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过取消现有技术中一个焊盘上的焊垫，即只形成焊盘不形成焊垫，并通过利用上层结构的焊垫直接对接下层焊盘的正面或者侧面，下层结构的焊垫直接对接上层焊盘的正面或者侧面，即上下两个焊垫的位置采用交错式设计，进而留出更多的空间以实现扩大相邻两电连接件之间的空间，避免桥接。CN113725105ACN113725105A权利要求书1/2页1.一种半导体封装装置，包括：第一上部封装结构，包括第一上线路层和第二上线路层，所述第一上线路层和所述第二上线路层水平并排设置，所述第一上线路层包括从上到下依次设置的第一上介电层、第一上焊盘和第一上焊垫，所述第二上线路层包括从上到下依次设置的第二上介电层和第二上焊盘；第一下部封装结构，包括第一下线路层和第二下线路层，所述第一下线路层和所述第二下线路层水平并排设置，所述第一下线路层包括从下到上依次设置的第一下介电层、第一下焊盘和第一下焊垫，所述第二下线路层包括从下到上依次设置的第二下介电层和第二下焊盘；所述第一上焊垫电连接所述第二下焊盘，所述第一下焊垫电连接所述第二上焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一上焊垫设置于第二下焊盘上表面，所述第二上焊盘设置于所述第一下焊垫上表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一非电镀金属层，设于所述第一上焊垫的侧壁、所述第二下焊盘的侧壁以及所述第一上焊垫和所述第二下焊盘之间；第二非电镀金属层，设于所述第一下焊垫的侧壁、所述第二上焊盘的侧壁以及所述第一下焊垫和所述第二上焊盘之间。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第一非电镀金属层位于所述第一上焊垫和所述第二下焊盘之间的部分侧壁向内凹陷，所述第二非电镀金属层位于所述第一下焊垫和所述第二上焊盘之间的部分侧壁向内凹陷。5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二下焊盘的最大外径小于所述第一上焊垫的最大外径，所述第二上焊盘的最大外径小于所述第一下焊垫的最大外径。6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述第一非电镀金属层延伸至所述第二下介电层的上表面和/或侧表面，所述第二非电镀金属层延伸至所述第二上介电层的下表面和/或侧表面。7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一上焊垫位于所述第二下焊盘的侧面，所述第一下焊垫位于所述第二上焊盘的侧面。8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第三非电镀金属层，设于所述第一上焊垫的侧壁和下表面；第四非电镀金属层，设于所述第一下焊垫的侧壁和上表面。9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中，所述第三非电镀金属层接触所述第二下焊盘的部分上表面。10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其中，所述第二下介电层延伸至所述第二下焊盘的上表面以及所述第二下焊盘未接触所述第三非电镀金属层的侧壁。11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其中，所述第三非电镀金属层延伸至所述第二下介电层设于所述第二下焊盘上表面部分的侧壁。12.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中，所述第三非电镀金属层延伸至所述第二下介电层设于所述第二下焊盘上表面部分的上表面。13.一种半导体封装装置，包括：2CN113725105A权利要求书2/2页第二上部封装结构，包括第三上线路层和第四上线路层，所述第三上线路层和所述第四上线路层水平并排设置，所述第三上线路层包括从上到下依次设置的第三上介电层、第三上焊盘和第三上焊垫，所述第四上线路层包括从上到下依次设置的第四上介电层、第四上焊盘和第四上焊垫；第二下部封装结构，包括第三下线路层和第四下线路层，所述第三下线路层和所述第四下线路层水平并排设置，所述第三下线路层包括从下到上依次设置的第三下介电层和第三下焊盘，所述第四下线路层包括从下到上依次设置的第四下介电层和第四下焊盘；所述第三上焊垫的侧壁电连接所述第三下焊盘的侧壁，所述第四上焊垫的侧壁电连接所述第四下焊盘的侧壁。14.一种制造半导体封装装置的方法，包括：提供第一上部封装结构和第一下部封装结构，其中，所述第一上部封装结构包括第一上线路层和第二上线