半导体装置封装及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112908978A(43)申请公布日2021.06.04(21)申请号202010064830.6(22)申请日2020.01.20(30)优先权数据16/703,4092019.12.04US(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170(72)发明人孔政渊林弘毅林长佑(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人蕭輔寬(51)Int.Cl.H01L25/16(2006.01)H01L23/64(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图11页(54)发明名称半导体装置封装及其制造方法(57)摘要一种半导体装置封装包含再分布层RDL、半导体装置、收发器，以及电容器。所述RDL具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置安置在所述RDL的所述第一表面上。所述收发器安置在所述RDL的所述第二表面上。所述电容器安置在所述RDL的所述第二表面上。所述半导体装置具有第一投影面积并且所述电容具有第二投影面积。所述第一投影面积与所述第二投影面积重叠。CN112908978ACN112908978A权利要求书1/2页1.一种半导体装置封装，其包括：再分布层RDL，其具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；半导体装置，其安置在所述RDL的所述第一表面上；收发器，其安置在所述RDL的所述第二表面上；电容器，其安置在所述RDL的所述第二表面上；其中所述半导体装置具有第一投影面积并且所述电容器具有第二投影面积，所述第一投影面积与所述第二投影面积重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述RDL的所述第二表面上的解耦电容器结构，其中所述电容器嵌入在所述解耦电容器结构中。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括与所述收发器啮合的光纤。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括支撑所述RDL、所述半导体装置、所述收发器以及所述电容器的载体，电源安置在所述载体上并且电耦合到所述半导体装置。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述RDL的所述第二表面上的电源。6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述RDL的所述第一表面上并且与所述半导体装置以及所述收发器电连接的多路复用器。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述半导体装置上的散热结构，其中所述散热结构包括平坦的底部轮廓。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述RDL的所述第二表面上的电感器，其中所述电感器与所述电容器电耦合。9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中靠近所述RDL的所述第一表面的导电端子与靠近所述RDL的所述第二表面的导电端子相比更精细。10.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述收发器包括电子集成电路EIC以及光子集成电路PIC，以及激光二极管LD，其中所述光纤耦合到所述PIC。11.一种半导体装置封装，其包括：衬底，其具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；再分布层RDL，其安置在所述衬底的所述第一表面上；半导体装置，其安置在所述RDL上；收发器，其安置在所述衬底的所述第二表面上；以及电源，其安置在所述衬底的所述第二表面上；以及其中所述电源通过所述衬底电连接到所述半导体装置以及所述收发器。12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述半导体装置具有第一投影面积，并且所述电源具有第二投影面积，所述第一投影面积与所述第二投影面积重叠。13.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述衬底的所述第二表面上并且被所述电源围绕的多个电容器以及多个电感器。14.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其进一步包括与所述收发器啮合的光纤。15.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述电源经由所述衬底以及所述RDL将功率提供到所述半导体装置。2CN112908978A权利要求书2/2页16.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述半导体装置包括安置在所述衬底上方并且在垂直方向上至少部分与所述收发器重叠的多路复用器。17.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其进一步包含安置在所述衬底的所述第二表面上的解耦电容器结构，其中所述解耦电容器结构包括与所述半导体装置电连接的电容器。18.一种制造半导体装置封装的方法，其包括：提供再分布层RDL，所述RDL具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；将半导体装置安置在所述RDL的所述第一表面上，所述半导体装置在所述RDL上投影第一面积；形成囊封所述半导体装置的囊封物；将收发器安置