半导体封装装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113990814A(43)申请公布日2022.01.28(21)申请号202111010497.1(22)申请日2021.08.31(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号(72)发明人王铭汉(74)专利代理机构北京植德律师事务所11780代理人唐华东(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/16(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图11页(54)发明名称半导体封装装置及其制造方法(57)摘要本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过取消现有技术中一个焊盘上的焊垫，即只形成焊盘不形成焊垫，并通过利用上层结构的焊垫直接对接下层焊盘的正面或者侧面，下层结构的焊垫直接对接上层焊盘的正面或者侧面，即上下两个焊垫的位置采用交错式设计，进而留出更多的空间以实现扩大相邻两电连接件之间的空间，避免桥接。CN113990814ACN113990814A权利要求书1/1页1.一种半导体封装装置，包括：衬底，具有第一表面；重布线层，设置于所述第一表面；芯片模组，设置于所述重布线层上，所述芯片模组包括第一功能芯片和至少两个第二功能芯片，所述至少两个第二功能芯片通过所述重布线层电性连接所述第一功能芯片；固定件，设置于所述重布线层上所述芯片模组的外侧壁，且所述第一功能芯片和所述第二功能芯片之间的缝隙处对应设置有所述固定件。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：散热件，设置于所述第一表面且跨越所述芯片模组和所述固定件。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述芯片模组的第一外侧壁从所述第一功能芯片和第二功能芯片之间的缝隙沿第一方向到所述第一外侧壁的第一中心线之间设置有所述固定件，所述第一外侧壁为所述芯片模组的外侧壁中所述第一功能芯片和第二功能芯片之间的缝隙所延伸至的侧壁，所述第一方向从所述第二功能芯片到所述第一功能芯片，所述第一中心线为所述第一外侧壁与所述芯片模组上表面连接线的中点和所述第一外侧壁与所述芯片模组下表面连接线的中点之间的连线。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述芯片模组的第一外侧壁完整设置有所述固定件。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述芯片模组的第二外侧壁设置有所述固定件，其中，所述芯片模组的第二外侧壁为所述芯片模组的外侧壁中只对应所述第二功能芯片的侧壁。6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述芯片模组的第三外侧壁设置有所述固定件，其中，所述芯片模组的第三外侧壁为所述芯片模组的外侧壁中只对应所述第一功能芯片的侧壁。7.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述固定件通过粘合层粘合至所述重布线层。8.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述固定件通过焊料凸块固定至所述重布线层。9.根据权利要求1‑8中任一所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一底部填充胶，设置于所述芯片模组和所述重布线层之间，且所述第一底部填充胶延伸至所述芯片模组的外侧壁；第二底部填充胶，设置于所述芯片模组和所述固定件之间，且所述第二底部填充胶延伸至所述固定件的外侧壁。10.根据权利要求1‑8中任一所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第三底部填充胶，设置于所述芯片模组和所述重布线层之间、所述芯片模组和所述固定件之间、以及所述固定件和所述重布线层之间，且所述第三底部填充胶延伸至所述芯片模组的外侧壁以及所述固定件的外侧壁。2CN113990814A说明书1/7页半导体封装装置及其制造方法技术领域[0001]本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。背景技术[0002]FOCoS(FanOutChiponSubstrate，扇出型基板上芯片)封装产品中，不同材料的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion，CTE)存在差异，其中散热片(Heatsink)、重布线层(RDL，RedistributionLayer)和基板(Substrate)的CTE大于其他各材料，因此在热循环测试过程中会产生外拉应力。而由于FOCoS中存在多个功能芯片，不同功能芯片之间的缝隙(Diegap)处会填充底部填充剂(Underfill)，由于底部填充剂的刚性较低，在热循环测试过程中无法直接承受上述CTE差异所导致的外拉应力，因此容易在底部填充剂与功能芯片之间产生脱层(delamination)或断裂(crack)。另外，当经历多次热循环测试过程后，因多次外拉应利力而可能使得上述所产生的脱层或断裂扩大