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本公开提供了半导体封装装置及其制造方法,通过将小尺寸的衬底信号走线采纵向方式传递至衬底表面的桥接重布线层,再利用桥接重布线层的细间距(finepitch)特性,将两个小尺寸衬底进行电连接,可以实现包括但不限于以下技术效果:(1)实现了大尺寸衬底既提高了I/O数且维持高良率;(2)改善大尺寸衬底的翘曲程度;(3)将电性连接路径变短,即使在取放小尺寸衬底过程中产生偏移或者角度旋转,也可降低对电性连接的路径影响,以及可减缓电性连接效果的影响;(4)降低产生寄生电容的机率;(5)小尺寸衬底中相同信号的走线可以集中于单一焊垫,进而降低最上层桥接重布线层的布线复杂度。