一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113811172A(43)申请公布日2021.12.17(21)申请号202111146692.7(22)申请日2021.09.28(71)申请人长沙韶光铬版有限公司地址湖南省长沙市芙蓉区韶光社区长榔路88号(72)发明人李弋舟张冠华段辉高卢虎贲颜昱段聪(74)专利代理机构长沙轩荣专利代理有限公司43235代理人李崇章(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)H01B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜(57)摘要本发明提供了一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜，所述电磁屏蔽网格的制备方法包括步骤：在透明衬底一侧的表面涂覆光刻胶；通过曝光以及显影在所述光刻胶的表面形成图案；在形成所述图案后的所述光刻胶的表面蒸镀金属层；将蒸镀所述金属层后的所述透明衬底浸泡于N‑甲基吡咯烷酮溶液，以去除所述光刻胶表面的所述金属层，保留所述图案表面上的所述金属层，从而得到预制电磁屏蔽网格；通过脉冲电镀在所述预制电磁屏蔽层的表面电沉积Au，从而得到电磁屏蔽网格。本发明得到电磁屏蔽网格，可以使形成的图案的效果更好，且提升整体的导电性能，以更好的满足电子设备的屏蔽需求。CN113811172ACN113811172A权利要求书1/1页1.一种电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，包括步骤：在透明衬底一侧的表面涂覆光刻胶；通过曝光以及显影在所述光刻胶的表面形成图案；在形成所述图案后的所述光刻胶的表面蒸镀金属层；将蒸镀所述金属层后的所述透明衬底浸泡于N‑甲基吡咯烷酮溶液，以去除所述光刻胶表面的所述金属层，保留所述图案表面上的所述金属层，从而得到预制电磁屏蔽网格；通过脉冲电镀在所述预制电磁屏蔽层的表面电沉积Au，从而得到电磁屏蔽网格。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为2.8‑3.2微米。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述图案为均匀分布的圆环结构，所述透明衬底为玻璃、透明硅胶和透明橡胶中的一种。4.如权利要求1所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述在形成所述图案后的所述光刻胶的表面蒸镀金属层的具体步骤包括：先在形成所述图案后的所述光刻胶的表面蒸镀0.8‑1.2纳米的Cr粘附层，再在所述Cr粘附层的表面蒸镀9.8‑10.2纳米的Au导电层。5.如权利要求1所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述透明衬底在涂覆所述光刻胶前经过粗化处理。6.如权利要求5所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述粗化处理的具体步骤包括：先在所述透明衬底需要涂覆所述光刻胶的表面间隔设置向内凹陷的凹槽，再在所述凹槽内填充透明胶水，填充所述透明胶水后的所述透明衬底的表面为平整面。7.如权利要求6所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度为所述透明衬底的厚度的三分之一至二分之一。8.如权利要求5所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述粗化处理的具体步骤包括：先在所述透明衬底需要涂覆所述光刻胶的表面间隔设置向外突出的突出部，再在所述突出部之间填充透明胶水，填充所述透明胶水后的所述透明衬底的表面为平整面。9.如权利要求1所述的电磁屏蔽网格的制备方法，其特征在于，所述蒸镀金属层之前还包括步骤：将形成所述图案后的所述透明衬底浸泡于可溶性盐溶液中，浸泡的温度为50‑70℃，时间为8‑15分钟；再将在所述可溶性盐溶液中浸泡完成后的所述透明衬底浸泡于铜离子浓度为0.05‑0.12mol/L的溶液中，浸泡的温度为40‑60摄氏度，时间为8‑15分钟。10.一种电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述电磁屏蔽薄膜通过权利要求1至9任一项所述的电磁屏蔽网格的制备方法制备，并通过处理得到。2CN113811172A说明书1/5页一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜技术领域[0001]本发明属于电磁屏蔽技术领域，具体地涉及一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜。背景技术[0002]随着电子通信和电气控制的高速发展，电磁信号间的相互干扰日益成为威胁电子设备正常工作的关键问题，相应的，对于高效的电磁屏蔽材料的追求也愈发迫切。[0003]最先的电磁屏蔽材料是以块体金属为主的，利用块体金属高的导电能力来阻止电磁波进入，块体金属虽然对于电磁波具有良好的屏蔽效果，但是其质量较大，且不透明，不能满足电子设备小型化、轻型化及透明化的发展要求。[0004]而现在的电磁屏蔽材料则是在透明衬底上依次设置光刻胶、导电层等以实现电子设备小型化、轻型化及透明化的发展要求，其中，光刻胶的表面通过曝光以及显影形成图案。[0005]虽然，现在的电磁屏蔽材料解决了电子设备小型化