一种制备碳纳米管电磁屏蔽薄膜的方法.pdf
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一种制备碳纳米管电磁屏蔽薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种制备碳纳米管电磁屏蔽薄膜的方法,将二茂铁溶解于甲醇中,超声分散得填充溶液,将反应炉升温,调节碳源速率在管口基底上沉积碳纳米管,通入填充溶液,制备高铁量的碳纳米管宏观体,碳源与填充剂迅速气化,通过自沉积技术制备成高屏蔽性的薄膜;将树脂、溶剂二甲苯、醋酸丁酯和防沉降剂混合,高速分散后,缓慢加入铁镍合金粉、石墨烯负载镍磁性复合粉体、氧化石墨烯‑四氧化三铁杂化材料,再分散,加入消泡剂、流平剂、固化剂,分散得均匀电磁屏蔽涂料;将该涂料薄而均匀地涂布在高屏蔽性的薄膜表面,自然干燥,得电磁屏蔽膜。
一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜.pdf
本发明提供了一种电磁屏蔽网格的制备方法及电磁屏蔽薄膜,所述电磁屏蔽网格的制备方法包括步骤:在透明衬底一侧的表面涂覆光刻胶;通过曝光以及显影在所述光刻胶的表面形成图案;在形成所述图案后的所述光刻胶的表面蒸镀金属层;将蒸镀所述金属层后的所述透明衬底浸泡于N‑甲基吡咯烷酮溶液,以去除所述光刻胶表面的所述金属层,保留所述图案表面上的所述金属层,从而得到预制电磁屏蔽网格;通过脉冲电镀在所述预制电磁屏蔽层的表面电沉积Au,从而得到电磁屏蔽网格。本发明得到电磁屏蔽网格,可以使形成的图案的效果更好,且提升整体的导电性能,
一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法.pdf
一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法,包括五层,中心层为铜箔,铜箔两面为碳纳米管膜,碳纳米管膜外面为树脂层,总厚度为7-14um。制备方法步骤如下:将溶解有二茂铁的正已烷溶液泵入反应炉的沸腾床上,反应炉内温度在1100-1200℃,二茂铁在高温的作用下分解出铁原子,正已烷在铁原子的催化和高温的作用下分解出碳原子,附着于铜箔的两面,然后在碳纳米管膜上覆盖树脂层,本发明保证了在较薄厚度情况下复合电磁屏蔽膜的机械性,能解决使用液晶聚酯薄膜制备时,绝缘层厚度无法做薄的问题;本发明由于采用了液晶聚酯,所以介电
一种碳纳米管复合薄膜的制备方法及其制备的碳纳米管复合薄膜.pdf
本发明公开了一种碳纳米管复合薄膜的制备方法,首先通过儿茶酚胺在弱碱性条件下的氧化自聚合反应在碳纳米管表面引入酚羟基、醌基等官能团,实现对碳纳米管的表面改性,再以带有氨基或巯基的水溶性聚合物为原料,在席夫碱(Schiff?base)或迈克尔加成(Michael?Addition)反应形成的化学键作用下实现层层自组装,得到了碳纳米管复合薄膜。本方法的反应条件温和、绿色环保、简单易行,适合于工业化生产。本方法制备得到的碳纳米管复合薄膜具有良好的热学和化学稳定性、韧性、机械强度及透明性。
一种碳纳米管薄膜的制备方法.pdf
一种碳纳米管薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将碳纳米管置于石墨化炉中,抽真空且升温至2800℃以上,保温一段时间后冷却至室温;(2)以步骤(1)的碳纳米管、分散剂、粘结剂和N-甲基吡咯烷酮溶液为原料,经过超声、高速剪切或球磨等,制备碳纳米管悬浊液;(3)将步骤(2)的碳纳米管悬浊液滴加在平铺的基底上,65℃烘干,分离基底;(4)将步骤(3)的碳纳米管薄膜置于真空炉内随炉升温至1300-1500℃碳化,保温0.5-2h,冷却至室温取出。本发明所制备的碳纳米管薄膜厚度在10-20μm左右,较容易分离基底;