一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法及电磁屏蔽片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106912188A(43)申请公布日2017.06.30(21)申请号201510977190.7(22)申请日2015.12.22(71)申请人上海光线新材料科技有限公司地址201505上海市金山区亭林镇林盛路198号9幢(72)发明人李家洪周坤荣杨恺苏临萍吴长和杨兆国姚文峰陈印中(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263代理人张坚(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图4页(54)发明名称一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法及电磁屏蔽片(57)摘要本发明提供无线充电用电磁屏蔽片的制备方法以及由该方法获得的电磁屏蔽片，所述方法包括如下步骤：卷绕步骤，将非晶、纳米晶带材按照要求卷绕至预定尺寸；热处理步骤，将卷绕好的非晶、纳米晶带材放在热处理炉内进行热处理，在热处理的过程中进行加横磁场、加纵磁场、加旋磁场或不加磁场处理；以及图形化处理步骤，对所述非晶、纳米晶带材的未覆胶的表面进行图形化处理。通过采用本发明的图形化处理加工工艺，如激光切割、化学蚀刻等工艺进行图形化处理，使得电磁屏蔽片的电磁性能(磁导率、损耗等)可控，使得充电效率得到优化，最大程度发挥电磁屏蔽片的电磁屏蔽效果。CN106912188ACN106912188A权利要求书1/1页1.一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：卷绕步骤，将非晶、纳米晶带材按照要求卷绕至预定尺寸；热处理步骤，将卷绕好的非晶、纳米晶带材放在热处理炉内进行热处理，在热处理的过程中进行加横磁场、加纵磁场、加旋磁场或不加磁场处理；覆单面胶步骤，将经过热处理的所述非晶、纳米晶带材进行单面覆胶；图形化处理步骤，对所述非晶、纳米晶带材的未覆胶的表面进行图形化处理；再次覆胶步骤，在所述非晶、纳米晶带材的图形化处理的表面进行再次覆胶；在所述非晶、纳米晶带材为2层以上时，还包括粘合层压步骤，将所述非晶、纳米晶带材的再次覆胶的表面粘合到另一片非晶、纳米晶带材的图形化处理的表面，叠层至所需层数后再对其整体进行层压操作获得叠层的非晶、纳米晶层，所述另一片非晶、纳米晶带材是经过上述卷绕步骤、热处理步骤、覆单面胶步骤以及图形化处理步骤后得到的带材。2.根据权利要求1所述的一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，所述图形化处理通过激光切割或化学蚀刻形成图形，所述图形为规则图形和不规则图形。3.根据权利要求2所述的一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，图形化表面的图案缝隙大小为0.5μm-100μm，优选5μm-30μm，图形化形成的小块碎片图形的边线上的任意两点之间的最大距离为5μm-5mm，优选100μm-2mm，最大切割/蚀刻深度为刚好切断单层所述非晶、纳米晶带材。4.根据权利要求3所述的一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，所述贴合层压步骤中非晶、纳米晶带材的层数为至少1层，优选3～10层。5.根据权利要求4所述的一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，所述再次覆胶步骤通过印刷涂布方法或双面胶在图形化处理的表面进行覆胶。6.根据权利要求5所述的一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于，所述粘合层压步骤后还包括：冲切步骤，将叠层的非晶、纳米晶层根据尺寸要求进行冲切；贴合步骤，将冲切后的叠层非晶、纳米晶层通过其表面的胶层与铁氧体磁片、石墨片以及线圈贴合。7.一种无线充电用电磁屏蔽片，其根据权利要求1～6所述的制备方法获得，其特征在于，包括：叠层的非晶、纳米晶层；以及贴合在所述叠层的非晶、纳米晶层上的铁氧体磁片、石墨片以及线圈。8.如权利要求7所述一种无线充电用电磁屏蔽片，其特征在于，所述非晶、纳米晶层通过激光切割或化学蚀刻的图形化方式形成图形，所述图形为规则图形和不规则图形。9.如权利要求8所述一种无线充电用电磁屏蔽片，其特征在于，图形化表面的图案缝隙大小为0.5μm-100μm，优选5μm-30μm，图形化形成的小块碎片图形的边线上的任意两点之间的最大距离为5μm-5mm，优选100μm-2mm，最大切割/蚀刻深度为刚好切断单层所述非晶、纳米晶带材。10.如权利要求9所述一种无线充电用电磁屏蔽片，其特征在于，所述叠层的非晶、纳米晶层的层数为至少1层，优选3～10层。2CN106912188A说明书1/9页一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法及电磁屏蔽片技术领域[0001]本发明涉及磁性材料、无线充电、电磁屏蔽及热处理工艺领域，尤其涉及一种无线充电用电磁屏蔽片及由该方法获得的电磁屏蔽片。背景技术[0002]随着高科技产品的出现及应用，其所产生的电磁辐射污染是继水污染、空气污染和噪声污染之后的第四大环境污染。[0003]随着科技技术的高速