一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112351665A(43)申请公布日2021.02.09(21)申请号201911394605.2(22)申请日2019.12.30(71)申请人广州方邦电子股份有限公司地址510530广东省广州市广州高新技术产业开发区开源大道口11号A5栋第六层(72)发明人苏陟高强(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人麦小婵郝传鑫(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)H05K1/02(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图3页(54)发明名称一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法(57)摘要本发明涉及屏蔽膜技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，该电磁屏蔽膜包括屏蔽层、第一吸收层和胶膜层，第一吸收层设于屏蔽层和胶膜层之间；第一吸收层包括多个层叠的第一电磁波吸收子层，多个第一电磁波吸收子层的电磁波吸收率在垂直方向上呈递增。通过设置多个层叠的第一电磁波吸收子层，并使多个第一电磁波吸收子层的电磁波吸收率在垂直方向上呈递增，提高了第一吸收层的电磁损耗效率，从而使得投射到第一吸收层上的电磁波能够被最大程度的吸收，进而实现了对电磁干扰的有效屏蔽。CN112351665ACN112351665A权利要求书1/2页1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括屏蔽层、第一吸收层和胶膜层，所述第一吸收层设于所述屏蔽层和所述胶膜层之间；所述第一吸收层包括多个层叠的第一电磁波吸收子层，多个所述第一电磁波吸收子层的电磁波吸收率在垂直方向上呈递增。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，多个所述第一电磁波吸收子层的电磁波吸收率沿第一方向依次递增；其中，所述第一方向为由所述第一吸收层垂直指向所述屏蔽层的方向。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括第二吸收层，所述第二吸收层设于所述屏蔽层远离所述第一吸收层的一面；所述第二吸收层包括多个层叠的第二电磁波吸收子层，多个所述第二电磁波吸收子层的电磁波吸收率在垂直方向上呈递增。4.如权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，多个所述第二电磁波吸收子层的电磁波吸收率沿第二方向依次递增；其中，所述第二方向为由所述第二吸收层垂直指向所述屏蔽层的方向。5.如权利要求1-4任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层靠近所述第一吸收层的一面设有导电凸起，所述导电凸起嵌入所述第一吸收层内。6.如权利要求1-4任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层靠近所述第一吸收层的一面设有导电凸起，所述导电凸起包括若干个凸起部，所述第一吸收层设于所述屏蔽层的第一区域和/或所述导电凸起的第二区域上；其中，所述第一区域为所述屏蔽层靠近所述第一吸收层的一面中未设有所述导电凸起的区域，所述第二区域为所述导电凸起中任意两个相邻的所述凸起部之间形成的区域。7.如权利要求5或6所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电凸起的表面设有导体颗粒。8.如权利要求1-4任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一电磁波吸收子层具有导电性，且所述第一电磁波吸收子层的导电性小于所述屏蔽层的导电性；或，所述第一电磁波吸收子层不具有导电性。9.如权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二电磁波吸收子层具有导电性，且所述第二电磁波吸收子层的导电性小于所述屏蔽层的导电性；或，所述第二电磁波吸收子层不具有导电性。10.如权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一电磁波吸收子层和所述第二电磁波吸收子层中的至少一项，由粘结剂和吸波介质构成。11.如权利要求10所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述吸波介质由碳系吸波材料、铁系吸波材料、陶瓷系吸波材料和复合吸波材料中的任意一种构成。12.如权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一吸收层的厚度为：0.1μm-45μm；所述第二吸收层的厚度为：0.1μm-45μm。13.如权利要求1-4任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。14.如权利要求1或2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层，2CN112351665A权利要求书2/2页所述绝缘层设于所述屏蔽层远离所述第一吸收层的一面。15.如权利要求3或4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层，所述绝缘层设于所述第二吸收层远离所述屏蔽层的一面。16.一种线路板，其特征在于，包括线路板本体以及如权利要求1-15任一项所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜设于所述线路板本体上。17.一种电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，适用于制备如权利要求1-15任一项所述的电磁波屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜的制备方法包括：制作形