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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113814886A(43)申请公布日2021.12.21(21)申请号202110688056.0H01L21/306(2006.01)(22)申请日2021.06.21H01L21/66(2006.01)(30)优先权数据10-2020-00751002020.06.19KR10-2020-00751032020.06.19KR(71)申请人SKC索密思株式会社地址韩国京畿道(72)发明人安宰仁金京焕尹晟勋徐章源明康植(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人王卫彬徐婕超(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B37/005(2012.01)B24B49/00(2012.01)权利要求书3页说明书31页附图5页(54)发明名称研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法(57)摘要本发明的实例涉及一种半导体的化学机械研磨(chemicalmechanicalplanarization,CMP)工序中使用的研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法,本发明实例的研磨片可通过在进行研磨后调节研磨片的表面粗糙度特性来提高研磨率、显著减少晶圆的表面残留物、表面划痕以及振痕。CN113814886ACN113814886A权利要求书1/3页1.一种研磨片,其特征在于,利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨,分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨,之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时,在基于ISO25178‑2标准的面积材料比曲线中满足下式5及式6:[式5]Spk/Svk<1.2;[式6]0.1≤Spk/Sk≤1.1,在上述式5及式6中,上述Spk为减少的峰高,上述Svk为减少的谷深,上述Sk为芯部粗糙度深度。2.根据权利要求1所述的研磨片,其特征在于,在对上述假晶圆进行研磨之前,通过执行10分钟至20分钟的研磨前工序,来对研磨片的研磨层进行修整处理。3.根据权利要求1所述的研磨片,其特征在于,上述研磨片满足选自下述条件中的一种以上:上述Spk为2以上且10以下;上述Svk为大于11且22以下;以及上述Sk为5以上且40以下,上述研磨片的研磨前及研磨后的Svk/Sk之差的绝对值为0.1至1.5,上述研磨片的研磨前及研磨后的Spk/Sk之差的绝对值为0至0.6。4.根据权利要求1所述的研磨片,其特征在于,研磨后的上述研磨片满足选自下式7至式10中的一个以上:[式7]0.2<Svk/Sk≤2.5;[式8]0.3<Spk/Svk+Svk/Sk≤3.6;[式9]0.3<Spk/Sk+Svk/Sk≤3.6;[式10]0.45≤Spk/Sk+Svk/Sk+Spk/Svk≤4.7,在上述式7至式10中,上述Spk、Svk以及Sk的含义与上述内容中的定义相同。5.根据权利要求1所述的研磨片,其特征在于,满足选自下述特性中的至少一种特性:上述研磨片具有平均直径为5μm至200μm的多个气孔;上述研磨片对于氧化膜具有至的研磨率;上述监测晶圆的表面残留物数量为100个以下;上述监测晶圆的表面划痕数量为200个以下;以及上述监测晶圆的振痕数量为5个以下。6.一种研磨片,其特征在于,利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上2CN113814886A权利要求书2/3页喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨,分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨,之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时,在基于ISO25178‑2标准的面积材料比曲线中满足下式11:[式11]0.5≤(Spk+Svk)/Sk≤3.5,在上述式11中,上述Spk为减少的峰高,上述Svk为减少的谷深,上述Sk为芯部粗糙度深度。7.根据权利要求6所述的研磨片,其特征在于,在对上述假晶圆进行研磨之前,通过执行10分钟至20分钟的研磨前工序,来对研磨片的研磨层进行修整处理。8.根据权利要求6所述的研磨片,其特征在于,上述研磨片满足选自下述条件中的一种以上:上述Spk为2以上且10以下;上述Svk为大于11且22以下;上述Sk为5以上且40以下;以及上述Spk及上述Svk之和为大于13且32以下,上述研磨片的研磨前及研磨后的Svk/Sk之差的绝对值为0.1至1.5,上述研磨片的研磨前及研磨后的Spk/Sk之差的绝对值为0至0.6。9.根据权利要求6所述的研磨片,其特征在于,研磨后的上述研磨片满足选自下式5至式10中的一个以上:[式5]Spk/Svk<1.2;[式6]0.1≤Spk/Sk≤1.1,[式7]0.2<Svk/Sk≤2.5;[