研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法.pdf
是立****92
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相关资料
研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法.pdf
本发明的实例涉及一种半导体的化学机械研磨(chemicalmechanicalplanarization,CMP)工序中使用的研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法,本发明实例的研磨片可通过在进行研磨后调节研磨片的表面粗糙度特性来提高研磨率、显著减少晶圆的表面残留物、表面划痕以及振痕。
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半导体器件、其制造方法以及其制造装置.pdf
本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中,通过将具有反映了栅电极的宽度的光致抗蚀剂掩模(41a)用作掩模而将沟道保护膜局部去除,从而使IGZO膜局部暴露,将IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分置于自氟化硅气体和氮气混合而成的、不含有氢的处理气体生成的等离子体中,并利用由含有氟的氮化硅膜构成的钝化膜(18)来覆盖IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜
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